恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司韓秋華獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構的形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114188278B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010963305.8，技術領域涉及：H10D84/03；該發明授權半導體結構的形成方法是由韓秋華設計研發完成，并于2020-09-14向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構的形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構的形成方法，包括：提供襯底，襯底包括第一區和第二區；在第一區的襯底上形成第一掩膜結構；在第二區的襯底內形成第二鰭部材料層；在第二鰭部材料層上形成第二掩膜結構，第二掩膜結構與第一掩膜結構的材料不同；在第一掩膜結構和第二掩膜結構上形成若干分立排布的鰭部圖形；以鰭部圖形為掩膜，刻蝕第二掩膜結構和第二鰭部材料層，在第二區的襯底上形成第二鰭部；形成覆蓋第二鰭部側壁的保護層；以鰭部圖形為掩膜，刻蝕第一掩膜結構和第一區的襯底，在第一區的襯底上形成第一鰭部。本發明實施例提供的半導體結構的形成方法，能分別形成NMOS區和PMOS區上的鰭部，有利于提高半導體結構的性能。
本發明授權半導體結構的形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：提供襯底，所述襯底包括相鄰的第一區和第二區；在所述第一區的所述襯底上形成第一掩膜結構；在所述第二區的所述襯底內形成第二鰭部材料層，所述第二鰭部材料層的頂部表面與所述第一區的襯底的頂部表面齊平；在所述第二鰭部材料層上形成第二掩膜結構，所述第二掩膜結構與所述第一掩膜結構的材料不同；在所述第一掩膜結構和所述第二掩膜結構上形成若干分立排布的鰭部圖形；以所述鰭部圖形為掩膜，刻蝕所述第二掩膜結構和所述第二鰭部材料層，至露出所述襯底的表面，在所述第二區的襯底上形成第二鰭部；形成覆蓋所述第二鰭部側壁的保護層；以所述鰭部圖形為掩膜，刻蝕所述第一掩膜結構和所述第一區的襯底，在所述第一區的襯底上形成第一鰭部。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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