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龍圖騰網(wǎng)恭喜朗姆研究公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體器件制造中的氧化錫薄膜間隔物獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN111769038B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202010517239.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/033；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件制造中的氧化錫薄膜間隔物是由大衛(wèi)·查爾斯·史密斯;理查德·懷斯;阿潘·馬霍羅瓦拉;帕特里克·A·范克利蒙布特;巴特·J·范施拉芬迪克設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2017-06-27向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體器件制造中的氧化錫薄膜間隔物在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制造中的氧化錫薄膜間隔物。在半導(dǎo)體器件制造中使用薄氧化錫膜作為間隔物。在一個(gè)實(shí)現(xiàn)方式中，薄氧化錫膜被共形沉積到具有第一材料例如，氧化硅或氮化硅的暴露層和包括第二材料例如硅或碳的多個(gè)突出特征的半導(dǎo)體襯底上。例如，可以使用原子層沉積來沉積10?100nm厚的氧化錫層。然后，氧化錫膜被從水平表面去除，而不被從突出特征的側(cè)壁完全去除。接下來，突出特征的材料被蝕刻掉，從而在襯底上留下氧化錫間隔物。之后，蝕刻第一材料的未保護(hù)部分，而不去除間隔物。接下來，蝕刻下層，并且去除間隔物。含錫顆粒可以通過將其轉(zhuǎn)化成揮發(fā)性氫化錫而從處理室中去除。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件制造中的氧化錫薄膜間隔物在權(quán)利要求書中公布了：1.一種處理半導(dǎo)體襯底的方法，所述方法包括：a提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底具有包括第一材料的暴露層和包括與所述第一材料不同的第二材料的至少一個(gè)突出特征；以及b在所述第一材料和所述第二材料兩者上沉積SnO2層，包括在所述至少一個(gè)突出特征的側(cè)壁上沉積所述SnO2層，其中所述第一材料和所述第二材料被選擇為使得對(duì)于第一蝕刻化學(xué)過程所述第一材料的蝕刻速率與SnO2的蝕刻速率的比率大于1，并且對(duì)于第二蝕刻化學(xué)過程所述第二材料的蝕刻速率與SnO2的蝕刻速率的比率大于1，并且其中所述沉積包括將所述半導(dǎo)體襯底的所述第一材料和所述第二材料暴露于含錫前體和含氧前體；c在沉積所述SnO2層之后，從所述半導(dǎo)體襯底的水平表面完全去除所述SnO2層，而不完全去除覆蓋所述至少一個(gè)突出特征的所述側(cè)壁的所述SnO2層；以及d在從所述半導(dǎo)體襯底的水平表面去除所述SnO2層之后，使用所述第二蝕刻化學(xué)過程完全去除所述至少一個(gè)突出特征，而不完全去除覆蓋所述至少一個(gè)突出特征的所述側(cè)壁的所述SnO2層，從而形成SnO2間隔物。

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