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龍圖騰網恭喜英飛凌科技股份有限公司申請的專利具有應力減輕結構的半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110473851B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910389088.3，技術領域涉及：H01L23/488；該發明授權具有應力減輕結構的半導體器件是由M.A.博德雅;T.R.海德曼;M.馬塔爾恩;C.斯賈羅韋洛設計研發完成，并于2019-05-10向國家知識產權局提交的專利申請。

本具有應力減輕結構的半導體器件在說明書摘要公布了：本發明涉及具有應力減輕結構的半導體器件。半導體器件包括：半導體主體；設置在半導體主體的至少部分之上的應力減輕層或層堆疊，應力減輕層或層堆疊包括多個開口，其產生用于應力減輕層或層堆疊的圖案化表面形貌；以及形成在應力減輕層或層堆疊上并占據應力減輕層或層堆疊中的多個開口的金屬層或層堆疊。應力減輕層或層堆疊的圖案化表面形貌被傳遞到金屬層或層堆疊的背離半導體主體的表面。應力減輕層或層堆疊在一定溫度范圍內具有與金屬層或層堆疊不同的彈性模量。

本發明授權具有應力減輕結構的半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，其包括：半導體主體；設置在半導體主體的至少部分之上的應力減輕層或層堆疊，應力減輕層或層堆疊包括多個開口，其產生用于應力減輕層或層堆疊的圖案化表面形貌；以及形成在應力減輕層或層堆疊上并占據應力減輕層或層堆疊中的多個開口的金屬層或層堆疊，其中，應力減輕層或層堆疊的圖案化表面形貌被傳遞到金屬層或層堆疊的背離半導體主體的表面，其中，應力減輕層或層堆疊在一定溫度范圍內具有與金屬層或層堆疊不同的彈性模量，其中，所述應力減輕層或層堆疊和所述金屬層或層堆疊都形成在分離半導體器件的不同金屬層的層間電介質中，其中，應力減輕層或層堆疊被置于半導體主體與不同金屬層中的最后一個之間，其中，應力減輕層或層堆疊中的多個開口以規則圖案布置在應力減輕層或層堆疊的整個區域之上，使得應力減輕層或層堆疊的圖案化表面形貌具有獨立于半導體器件的任何布線層的布局的規則圖案。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人英飛凌科技股份有限公司，其通訊地址為：德國瑙伊比貝爾格市坎芘昂1-15號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。