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龍圖騰網(wǎng)恭喜公安部第一研究所;北京中盾安民分析技術(shù)有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利一種用于半導(dǎo)體溫控模塊的功率驅(qū)動(dòng)裝置獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN110445354B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：201910648807.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H02M1/08；該發(fā)明授權(quán)一種用于半導(dǎo)體溫控模塊的功率驅(qū)動(dòng)裝置是由范志永;李子曉;常海龍;趙穎;張濤;金川設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-07-18向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本一種用于半導(dǎo)體溫控模塊的功率驅(qū)動(dòng)裝置在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明公開(kāi)了一種用于半導(dǎo)體溫控模塊的功率驅(qū)動(dòng)裝置。該功率驅(qū)動(dòng)裝置包括電流大小控制模塊、電流方向轉(zhuǎn)換模塊和監(jiān)控保護(hù)模塊；電流大小控制模塊與電流方向轉(zhuǎn)換模塊連接；監(jiān)控保護(hù)模塊分別與電流大小控制模塊、電流方向轉(zhuǎn)換模塊。該功率驅(qū)動(dòng)裝置一方面采用半橋接閘極驅(qū)動(dòng)器和相關(guān)分立元件組成電流大小控制模塊，具有電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，能夠持續(xù)工作，且成本低等優(yōu)點(diǎn)；另一方面，電流方向轉(zhuǎn)換模塊通過(guò)單路驅(qū)動(dòng)信號(hào)控制H橋電路實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)電流方向的變換，具有控制端口少，可靠性高的特點(diǎn)；另外，監(jiān)控保護(hù)模塊通過(guò)響應(yīng)迅速的硬件觸發(fā)電路以及關(guān)斷保護(hù)電路，實(shí)現(xiàn)了對(duì)半導(dǎo)體溫控模塊及其功率驅(qū)動(dòng)裝置的高效保護(hù)。

本發(fā)明授權(quán)一種用于半導(dǎo)體溫控模塊的功率驅(qū)動(dòng)裝置在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種用于半導(dǎo)體溫控模塊的功率驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于包括電流大小控制模塊、電流方向轉(zhuǎn)換模塊和監(jiān)控保護(hù)模塊；所述電流大小控制模塊與所述電流方向轉(zhuǎn)換模塊連接；所述監(jiān)控保護(hù)模塊分別與所述電流大小控制模塊、所述電流方向轉(zhuǎn)換模塊連接，用于對(duì)關(guān)鍵位置的電流、電壓以及溫度進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)；所述電流大小控制模塊接收來(lái)自數(shù)字信號(hào)處理器的脈沖寬度調(diào)制信號(hào)，輸出持續(xù)可控的直流電流；所述電流方向轉(zhuǎn)換模塊，用于接收所述數(shù)字信號(hào)處理器輸出的高低電平信號(hào)，以控制所述半導(dǎo)體溫控模塊的電流方向，實(shí)現(xiàn)對(duì)所述半導(dǎo)體溫控模塊的制冷、制熱驅(qū)動(dòng)控制，所述電流方向轉(zhuǎn)換模塊包括電流方向控制邏輯電路、H橋電路，所述電流方向控制邏輯電路的輸入端與所述數(shù)字信號(hào)處理器的高低電平輸出端口連接，所述電流方向控制邏輯電路的輸出端與所述H橋電路的輸入端連接，所述H橋電路的輸出端與所述半導(dǎo)體溫控模塊連接；所述電流方向控制邏輯電路包括第一N溝道MOS管、第二N溝道MOS管、第三N溝道MOS管；所述第一N溝道MOS管Q7的漏極分別與第一電阻和第二電阻的一端、第一開(kāi)關(guān)二極管的陰極連接，所述第一開(kāi)關(guān)二極管的陽(yáng)極分別與所述第二電阻的另一端、第二開(kāi)關(guān)二極管的陽(yáng)極連接，所述第二開(kāi)關(guān)二極管的陰極與第一齊納二極管的陰極連接，所述第一齊納二極管的陽(yáng)極分別與第三功率MOS管的源極、第四功率MOS管的漏極、所述半導(dǎo)體溫控模塊連接；所述第一N溝道MOS管的柵極分別與第三電阻和第四電阻的一端、第三開(kāi)關(guān)二極管的陰極、所述第三N溝道MOS管的柵極、所述數(shù)字信號(hào)處理器的高低電平輸出端口連接，所述第三開(kāi)關(guān)二極管的陽(yáng)極分別與所述第四電阻的另一端、第四功率MOS管的柵極連接；所述第二N溝道MOS管與第五電阻、第六電阻、第四開(kāi)關(guān)二極管、第五開(kāi)關(guān)二極管、第二齊納二極管、第七電阻、第八電阻、第六開(kāi)關(guān)二極管的連接關(guān)系同所述第一N溝道MOS管與所述第一電阻、所述第二電阻、所述第一開(kāi)關(guān)二極管、所述第二開(kāi)關(guān)二極管、所述第一齊納二極管、所述第三電阻、所述第四電阻、所述第三開(kāi)關(guān)二極管的連接關(guān)系；所述第二N溝道MOS管的柵極還與所述第三N溝道MOS管的漏極連接，所述第一N溝道MOS管、所述第二N溝道MOS管和所述第三N溝道MOS管的源極分別接地；所述第一電阻和所述第五電阻的另一端分別與高端驅(qū)動(dòng)電壓連接，所述第三電阻和所述第七電阻的另一端分別與低端驅(qū)動(dòng)電壓連接；所述電流大小控制模塊包括半橋接閘極驅(qū)動(dòng)器、降壓轉(zhuǎn)換器和電流取樣電路，所述半橋接閘極驅(qū)動(dòng)器的輸入端與所述數(shù)字信號(hào)處理器的脈沖寬度調(diào)制信號(hào)輸出端連接，所述半橋接閘極驅(qū)動(dòng)器的輸出端與所述降壓轉(zhuǎn)換器的輸入端連接，所述降壓轉(zhuǎn)換器的輸出端與所述電流取樣電路的輸入端連接，所述電流取樣電路分別與所述電流方向轉(zhuǎn)換模塊和所述監(jiān)控保護(hù)模塊連接。

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