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龍圖騰網(wǎng)恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導(dǎo)體器件和制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN111816564B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201910728437.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/01；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件和制造方法是由李欣怡;李達(dá)元;蘇慶煌設(shè)計研發(fā)完成，并于2019-08-08向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體器件和制造方法在說明書摘要公布了：本公開涉及半導(dǎo)體器件和制造方法。公開了半導(dǎo)體器件和制造方法。提供了半導(dǎo)體器件和制造半導(dǎo)體器件的方法。在實施例中，使用處理工藝以將硅引入p?金屬功函數(shù)層。通過將硅引入p?金屬功函數(shù)層，可以防止可能包括諸如鋁之類的可擴(kuò)散材料的隨后沉積的層擴(kuò)散通過p?金屬功函數(shù)層并影響器件的工作。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件和制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括：在半導(dǎo)體鰭上方沉積柵極電介質(zhì)；在所述柵極電介質(zhì)上方沉積第一p-金屬功函數(shù)層；用含硅氣體處理所述第一p-金屬功函數(shù)層，其中，在所述處理之后，所述第一p-金屬功函數(shù)層具有介于1％原子和20％原子之間的硅濃度；以及在所述第一p-金屬功函數(shù)層上方沉積第一n-金屬功函數(shù)層；其中，在沉積所述第一n-金屬功函數(shù)層之后，鋁的濃度梯度從所述第一n-金屬功函數(shù)層延伸到所述第一p-金屬功函數(shù)層，但在延伸到所述柵極電介質(zhì)之前結(jié)束。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。