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龍圖騰網(wǎng)恭喜三星電子株式會社申請的專利形成圖案的方法和使用該方法制造半導(dǎo)體裝置的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN111415861B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201911080316.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/033；該發(fā)明授權(quán)形成圖案的方法和使用該方法制造半導(dǎo)體裝置的方法是由李明東;崔民洙;安浚赫;韓成熙;洪世羅設(shè)計研發(fā)完成，并于2019-11-07向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本形成圖案的方法和使用該方法制造半導(dǎo)體裝置的方法在說明書摘要公布了：本申請?zhí)峁┝诵纬蓤D案的方法和使用該方法制造半導(dǎo)體裝置的方法。在目標(biāo)層上形成第一掩膜層和第二掩膜層。圖案化第二掩膜層以形成第二掩膜圖案，每個第二掩膜圖案具有菱形形狀，菱形形狀具有第一對角線和第二對角線。通過蝕刻對第二掩膜圖案執(zhí)行修整處理以形成第二掩膜。每個第二掩膜圖案的相對的第一頂點的第一部分比每個第二掩膜圖案的相對的第二頂點的第二部分蝕刻得更多。相對的第一頂點之間的第一對角線的長度大于相對的第二頂點之間的第二對角線的長度。通過使用第二掩膜作為蝕刻掩膜蝕刻第一掩膜層，來圖案化第一掩膜層以形成第一掩膜。通過使用第一掩膜作為蝕刻掩膜蝕刻目標(biāo)層，來圖案化目標(biāo)層以形成目標(biāo)圖案。

本發(fā)明授權(quán)形成圖案的方法和使用該方法制造半導(dǎo)體裝置的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種形成圖案的方法，所述方法包括：在目標(biāo)層上形成第一掩膜層；在所述第一掩膜層上形成第二掩膜層；圖案化所述第二掩膜層以形成多個第二掩膜圖案，所述多個第二掩膜圖案中的每個第二掩膜圖案具有菱形形狀，所述菱形形狀具有第一對角線和第二對角線，所述第二對角線的長度比所述第一對角線的長度短；對所述多個第二掩膜圖案執(zhí)行修整處理以形成多個第二掩膜，其中，在所述修整處理中，與所述多個第二掩膜圖案中的每個第二掩膜圖案的第一對角線的相對的第一頂點對應(yīng)的第一部分比與所述多個第二掩膜圖案中的每個第二掩膜圖案的第二對角線的相對的第二頂點對應(yīng)的第二部分蝕刻得更多；通過使用所述多個第二掩膜作為蝕刻掩膜對所述第一掩膜層執(zhí)行蝕刻處理，來圖案化所述第一掩膜層以形成多個第一掩膜；以及通過使用所述多個第一掩膜作為蝕刻掩膜對所述目標(biāo)層執(zhí)行蝕刻處理，來圖案化所述目標(biāo)層以形成多個目標(biāo)圖案。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。