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龍圖騰網(wǎng)恭喜深圳市威科偉業(yè)電子科技有限公司申請(qǐng)的專利一種固態(tài)硬盤的全生命周期能耗管控方法及系統(tǒng)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119690356B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-18發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510199594.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G06F3/06；該發(fā)明授權(quán)一種固態(tài)硬盤的全生命周期能耗管控方法及系統(tǒng)是由林樂武;付萬福;黃宣證;陳旭設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-02-24向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種固態(tài)硬盤的全生命周期能耗管控方法及系統(tǒng)在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及硬盤能耗管控技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種固態(tài)硬盤的全生命周期能耗管控方法及系統(tǒng)。所述方法包括以下步驟：獲取固態(tài)硬盤結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)；對(duì)固態(tài)硬盤結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)進(jìn)行硬盤寫入耐久度評(píng)估，生成固態(tài)硬盤寫入耐久度評(píng)估數(shù)據(jù)；基于固態(tài)硬盤寫入耐久度評(píng)估數(shù)據(jù)對(duì)固態(tài)硬盤進(jìn)行時(shí)序使用檢測，生成固態(tài)硬盤時(shí)序使用監(jiān)測數(shù)據(jù)；通過固態(tài)硬盤時(shí)序使用監(jiān)測數(shù)據(jù)對(duì)固態(tài)硬盤寫入耐久度評(píng)估數(shù)據(jù)進(jìn)行固態(tài)硬盤生命周期劃分，生成固態(tài)硬盤生命周期劃分?jǐn)?shù)據(jù)。本發(fā)明通過結(jié)合固態(tài)硬盤的生命周期劃分、寫入耐久度評(píng)估與實(shí)時(shí)能耗優(yōu)化策略，提供了一個(gè)全生命周期自適應(yīng)的能效管控方法，提高了固態(tài)硬盤能效管控的效率。

本發(fā)明授權(quán)一種固態(tài)硬盤的全生命周期能耗管控方法及系統(tǒng)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種固態(tài)硬盤的全生命周期能耗管控方法，其特征在于，包括以下步驟：步驟S1：獲取固態(tài)硬盤結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)；對(duì)固態(tài)硬盤結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)進(jìn)行硬盤寫入耐久度評(píng)估，生成固態(tài)硬盤寫入耐久度評(píng)估數(shù)據(jù)；基于固態(tài)硬盤寫入耐久度評(píng)估數(shù)據(jù)對(duì)固態(tài)硬盤進(jìn)行時(shí)序使用檢測，生成固態(tài)硬盤時(shí)序使用監(jiān)測數(shù)據(jù)；通過固態(tài)硬盤時(shí)序使用監(jiān)測數(shù)據(jù)對(duì)固態(tài)硬盤寫入耐久度評(píng)估數(shù)據(jù)進(jìn)行固態(tài)硬盤生命周期劃分，生成固態(tài)硬盤生命周期劃分?jǐn)?shù)據(jù)，其中固態(tài)硬盤生命周期劃分?jǐn)?shù)據(jù)包括固態(tài)硬盤第一生命周期階段、固態(tài)硬盤第二生命周期階段以及固態(tài)硬盤第三生命周期階段；步驟S2：基于固態(tài)硬盤生命周期劃分?jǐn)?shù)據(jù)利用外置傳感器對(duì)固態(tài)硬盤進(jìn)行全生命周期能耗采集，從而得到固態(tài)硬盤全生命周期能耗采集數(shù)據(jù)；根據(jù)固態(tài)硬盤第一生命周期階段對(duì)固態(tài)硬盤全生命周期能耗采集數(shù)據(jù)進(jìn)行寫入存儲(chǔ)優(yōu)化，生成固態(tài)硬盤寫入緩存優(yōu)化數(shù)據(jù)；根據(jù)固態(tài)硬盤第二生命周期階段對(duì)固態(tài)硬盤全生命周期能耗采集數(shù)據(jù)進(jìn)行磨損均衡優(yōu)化，生成固態(tài)硬盤負(fù)載均衡優(yōu)化數(shù)據(jù)；步驟S2包括以下步驟：步驟S21：基于固態(tài)硬盤生命周期劃分?jǐn)?shù)據(jù)利用外置傳感器對(duì)固態(tài)硬盤進(jìn)行全生命周期能耗采集，從而得到固態(tài)硬盤全生命周期能耗采集數(shù)據(jù)；步驟S22：根據(jù)固態(tài)硬盤第一生命周期階段對(duì)固態(tài)硬盤進(jìn)行硬盤寫入特征分析，生成固態(tài)硬盤寫入特征數(shù)據(jù)；利用固態(tài)硬盤寫入特征數(shù)據(jù)對(duì)固態(tài)硬盤全生命周期能耗采集數(shù)據(jù)進(jìn)行寫入存儲(chǔ)優(yōu)化，生成固態(tài)硬盤寫入緩存優(yōu)化數(shù)據(jù)；步驟S23：根據(jù)固態(tài)硬盤第二生命周期階段對(duì)固態(tài)硬盤時(shí)序使用監(jiān)測數(shù)據(jù)進(jìn)行硬盤使用熱管理，生成硬盤使用熱管理數(shù)據(jù)；通過硬盤使用熱管理數(shù)據(jù)對(duì)固態(tài)硬盤進(jìn)行溫控圖轉(zhuǎn)化，生成固態(tài)硬盤使用溫控圖；步驟S24：提取固態(tài)硬盤使用溫控圖的溫度梯度特征，并通過溫度梯度特征對(duì)固態(tài)硬盤全生命周期能耗采集數(shù)據(jù)進(jìn)行磨損均衡優(yōu)化，生成固態(tài)硬盤負(fù)載均衡優(yōu)化數(shù)據(jù)；步驟S24包括以下步驟：步驟S241：提取固態(tài)硬盤使用溫控圖的單元格，并將其標(biāo)記為固態(tài)硬盤存儲(chǔ)塊溫度單元；對(duì)固態(tài)硬盤存儲(chǔ)塊溫度單元進(jìn)行溫度值映射，從而得到固態(tài)硬盤使用溫控圖的溫度梯度特征；步驟S242：基于溫度梯度特征對(duì)固態(tài)硬盤使用溫控圖進(jìn)行溫度變化分析，生成固態(tài)硬盤溫度變化數(shù)據(jù)；通過固態(tài)硬盤溫度變化數(shù)據(jù)對(duì)固態(tài)硬盤使用溫控圖進(jìn)行高溫梯度區(qū)域標(biāo)記，生成固態(tài)硬盤高溫梯度區(qū)域；步驟S243：對(duì)固態(tài)硬盤高溫梯度區(qū)域進(jìn)行硬盤寫入負(fù)載識(shí)別，得到高溫梯度區(qū)域?qū)懭胴?fù)載數(shù)據(jù)；根據(jù)高溫梯度區(qū)域?qū)懭胴?fù)載數(shù)據(jù)對(duì)固態(tài)硬盤使用溫控圖進(jìn)行相鄰存儲(chǔ)塊寫入輪換，生成固態(tài)硬盤寫入分流區(qū)域；步驟S244：利用固態(tài)硬盤寫入分流區(qū)域和固態(tài)硬盤高溫梯度區(qū)域?qū)虘B(tài)硬盤全生命周期能耗采集數(shù)據(jù)進(jìn)行執(zhí)行寫入重定向，從而生成固態(tài)硬盤負(fù)載均衡優(yōu)化數(shù)據(jù)；步驟S3：根據(jù)固態(tài)硬盤第三生命周期階段對(duì)固態(tài)硬盤進(jìn)行低速讀寫能耗管控，生成固態(tài)硬盤低速讀寫能耗管控?cái)?shù)據(jù)；通過固態(tài)硬盤低速讀寫能耗管控?cái)?shù)據(jù)對(duì)固態(tài)硬盤進(jìn)行低功耗運(yùn)行模式執(zhí)行，生成固態(tài)硬盤低功耗優(yōu)化數(shù)據(jù)；步驟S4：根據(jù)固態(tài)硬盤寫入緩存優(yōu)化數(shù)據(jù)、固態(tài)硬盤負(fù)載均衡優(yōu)化數(shù)據(jù)以及固態(tài)硬盤低功耗優(yōu)化數(shù)據(jù)對(duì)固態(tài)硬盤生命周期劃分?jǐn)?shù)據(jù)分別進(jìn)行階段能耗自適應(yīng)策略執(zhí)行，以執(zhí)行固態(tài)硬盤全生命周期的能耗管控運(yùn)行作業(yè)。

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