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龍圖騰網恭喜株式會社半導體能源研究所申請的專利半導體裝置及半導體裝置的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111788696B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980015985.6，技術領域涉及：H10D30/67；該發明授權半導體裝置及半導體裝置的制造方法是由畑勇氣;櫪林克明;菅尾惇平;山崎舜平設計研發完成，并于2019-02-18向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體裝置及半導體裝置的制造方法在說明書摘要公布了：提供一種通態電流大的半導體裝置。該半導體裝置包括：第一氧化物；第一氧化物上的第二氧化物；第二氧化物上的第三氧化物；第三氧化物上的第一絕緣體；第一絕緣體上的導電體；與第二氧化物及第三氧化物接觸的第二絕緣體；以及第二絕緣體上的第三絕緣體，其中，第二氧化物包括第一區域至第五區域，第一區域及第二區域的電阻比第三區域的電阻低，第四區域及第五區域的電阻比第三區域的電阻低且比第一區域及第二區域的電阻高，并且，導電體以與第三區域、第四區域及第五區域重疊的方式設置在第三區域、第四區域及第五區域的上方。

本發明授權半導體裝置及半導體裝置的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置的制造方法，包括如下步驟：形成第一氧化物及所述第一氧化物上的第二氧化物；以覆蓋所述第一氧化物及所述第二氧化物的方式形成第一絕緣膜；在所述第一絕緣膜上以與所述第二氧化物重疊的方式形成第一偽柵極；以所述第一偽柵極為掩模對所述第二氧化物添加第一摻雜劑，從而在所述第二氧化物中形成不與所述第一偽柵極重疊的一對第一區域，所述一對第一區域具有第一電阻和第一載流子密度；去除所述第一偽柵極的一部分來形成第二偽柵極，并使所述第二氧化物的一部分從所述第二偽柵極露出；以所述第二偽柵極為掩模對所述第二氧化物添加第二摻雜劑，從而在所述第二氧化物中形成不與所述第二偽柵極和所述一對第一區域重疊的一對第二區域，所述一對第二區域具有第二電阻和第二載流子密度；以覆蓋所述第一絕緣膜及所述第二偽柵極的方式形成第二絕緣膜；在所述第二絕緣膜上形成第三絕緣膜；直到使所述第二偽柵極的頂部露出為止去除所述第二絕緣膜的一部分及所述第三絕緣膜的一部分；去除所述第二偽柵極、所述第二絕緣膜的一部分及所述第一絕緣膜的一部分來形成開口；以嵌入在所述開口中的方式依次形成第三氧化物、第四絕緣膜及導電膜；以及直到使所述第三絕緣膜的頂部露出為止去除所述第三氧化物的一部分、所述第四絕緣膜的一部分及所述導電膜的一部分，所述第二電阻高于所述第一電阻，所述第一電阻和所述第二電阻低于所述第二氧化物中形成溝道的第三區域的第三電阻，所述第三區域不與所述一對第一區域和所述一對第二區域重疊，所述第二載流子密度低于所述第一載流子密度，并且，所述第一載流子密度和所述第二載流子密度高于所述第三區域的第三載流子密度。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人株式會社半導體能源研究所，其通訊地址為：日本神奈川縣厚木市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。