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龍圖騰網(wǎng)恭喜朗姆研究公司申請(qǐng)的專利從室清除SnO₂膜的方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN112640041B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：201980053179.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/02；該發(fā)明授權(quán)從室清除SnO₂膜的方法是由阿希爾·辛格哈爾;達(dá)斯汀·扎卡里·奧斯丁;何鐘碩;劉培池設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-08-07向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本從室清除SnO₂膜的方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：提供了一種從處理室清除SnO2殘留物的方法以作為一實(shí)施方案。該方法實(shí)施方案包含將烴氣和氫氣以1％至60％的比率引入等離子體處理系統(tǒng)中。利用由等離子體源所產(chǎn)生的等離子體以從處理室的表面蝕刻該SnO2殘留物。該SnH4氣體與該烴氣進(jìn)行反應(yīng)以生成可揮發(fā)的有機(jī)錫化合物。該方法還提供將該有機(jī)錫化合物從該處理室中排空。以1％至60％的比率將該烴氣與該氫氣一起引入使得SnH4氣體分解成Sn粉末的速率降低。

本發(fā)明授權(quán)從室清除SnO₂膜的方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種從處理室清除SnO2殘留物的方法，其包含：將烴氣和氫氣引入等離子體處理系統(tǒng)中；利用由所述等離子體處理系統(tǒng)的等離子體源所產(chǎn)生的等離子體從所述處理室的表面蝕刻結(jié)晶形式的所述SnO2殘留物，使用所述氫氣蝕刻所述SnO2殘留物而產(chǎn)生SnH4氣體，所述SnH4氣體與所述烴氣進(jìn)行反應(yīng)以生成能揮發(fā)的有機(jī)錫化合物，其中從所述SnH4氣體生成所述有機(jī)錫化合物使得能用于分解成Sn粉末的SnH4氣體的量減少；以及將所述有機(jī)錫化合物從所述處理室中排空，其中所述烴氣的流量比所述氫氣的流量的比率是至少1%的烴氣比氫氣并且是小于60%的烴氣比氫氣，其中將所述烴氣和所述氫氣引入至所述處理室中以通過(guò)CCP源而產(chǎn)生等離子體，以及引入至ICP源中以通過(guò)所述ICP源而產(chǎn)生等離子體，其中由所述CCP源和所述ICP源所產(chǎn)生的自由基被用于所述蝕刻。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人朗姆研究公司，其通訊地址為：美國(guó)加利福尼亞州；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。