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龍圖騰網恭喜上海功成半導體科技有限公司申請的專利半導體器件結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113540205B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010286671.4，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權半導體器件結構是由王鵬;徐大朋;羅杰馨;柴展設計研發完成，并于2020-04-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件結構在說明書摘要公布了：本發明提供一種半導體器件結構，半導體器件結構包括：第一導電類型的半導體襯底；第一導電類型的外延結構，外延結構包括至少兩層外延單元層，且至少兩層具有不同的摻雜濃度；溝槽結構以及形成于溝槽結構中的第二導電類型的柱結構。本發明在制備外延結構的過程中，制備出包括少兩層外延單元層的外延結構，且外延單元層中的至少兩層具有不同的摻雜濃度，可以基于上述材料層的設置改變形成在外延結構中的溝槽結構的側壁的形貌，從而可以使得在溝槽結構中形成的柱結構的形貌依據實際需求進行改進，可以改變溝槽結構側壁與底部之間的傾斜情況，即改變柱結構側壁與底部之間的傾斜情況，進而可以改善由其引起的電容急劇變化的問題。

本發明授權半導體器件結構在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件結構，其特征在于，所述半導體器件結構包括：第一導電類型的半導體襯底；所述第一導電類型的外延結構，所述外延結構形成于所述半導體襯底上，且所述外延結構包括至少兩層外延單元層，所述外延單元層中的至少兩層具有不同的摻雜濃度，各層所述外延單元層的摻雜濃度自所述半導體襯底向上依次遞減變化；溝槽結構，形成于所述外延結構中；各所述外延單元層的濃度變化用于使形成的溝槽結構的側壁發生變化，減小溝槽結構側壁與底部之間的夾角；第二導電類型的柱結構，所述柱結構形成于所述溝槽結構中。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海功成半導體科技有限公司，其通訊地址為：201822 上海市嘉定區菊園新區環城路2222號1幢J2620室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。