恭喜JSW阿克迪納系統有限公司大森賢一獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜JSW阿克迪納系統有限公司申請的專利激光處理裝置及激光監測方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114556531B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080064099.5，技術領域涉及：H01L21/268；該發明授權激光處理裝置及激光監測方法是由大森賢一;鄭石煥;佐藤亮介;太田佑三郎設計研發完成，并于2020-06-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本激光處理裝置及激光監測方法在說明書摘要公布了：本公開提供了一種能夠形成高質量半導體膜的激光處理裝置和激光處理方法。ELA裝置準分子激光退火裝置1包括：激光振蕩器10，該激光振蕩器10生成激光，該激光用于通過用激光照射在基材上的待處理的非晶硅膜來形成多晶硅膜；脈沖測量儀器100，該脈沖測量儀器100用于探測包含在激光中的第一部分光和第二部分光；以及監測裝置60，該監測裝置60用于將第一部分光的探測結果與第二部分光的探測結果進行比較。
本發明授權激光處理裝置及激光監測方法在權利要求書中公布了：1.一種激光處理裝置，包括：激光發生裝置，所述激光發生裝置被配置成生成施加于待處理的對象的激光；光電探測裝置，所述光電探測裝置被配置成探測包含在所述激光中的第一部分光和第二部分光；以及監測單元，所述監測單元被配置成將所述第一部分光的探測結果與所述第二部分光的探測結果進行比較，其中，所述激光是用于照射基材并使在所述基材上的非晶膜結晶以形成結晶膜的線光束，且包括沿垂直于照射方向的方向延伸的線光束，其中，所述第一部分光和所述第二部分光包括在所述線光束的截面中沿短軸方向排列的光的第一部分和第二部分，其中，所述光電探測裝置包括配置成探測所述第一部分光的第一光電探測器和配置成探測所述第二部分光的第二光電探測器，其中，所述監測單元比較由所述第一光電探測器探測的第一部分光和由所述第二光電探測器探測的第二部分光的波形。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人JSW阿克迪納系統有限公司，其通訊地址為：日本神奈川縣；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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