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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利檢測器、檢測裝置及其使用方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112240895B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010689175.3，技術領域涉及：G01N27/22；該發明授權檢測器、檢測裝置及其使用方法是由于淳設計研發完成，并于2020-07-17向國家知識產權局提交的專利申請。

本檢測器、檢測裝置及其使用方法在說明書摘要公布了：本發明實施例涉及檢測器、檢測裝置及其使用方法。本發明一些實施例揭露一種檢測器，其包含：襯底，其包含第一表面及與所述第一表面相對的第二表面；漏斗形凹槽，其從所述襯底的所述第二表面延伸到所述襯底的所述第一表面；導電層，其經放置于所述襯底的所述第一表面下方；絕緣層，其經放置于所述襯底與所述導電層之間；及第一貫穿通路，其延伸穿過所述導電層及所述絕緣層，且經耦合到所述漏斗形凹槽。

本發明授權檢測器、檢測裝置及其使用方法在權利要求書中公布了：1.一種檢測器，其包括：襯底，其包括第一表面及與所述第一表面相對的第二表面；漏斗形凹槽，其從所述襯底的所述第二表面延伸到所述襯底的所述第一表面，其中所述漏斗形凹槽具有在所述第二表面中的上開口及在所述第一表面中的下開口，且所述上開口的寬度大于所述下開口的寬度；導電層，其經放置于所述襯底的所述第一表面下方；絕緣層，其經放置于所述襯底與所述導電層之間；第一貫穿通路，其延伸穿過所述導電層及所述絕緣層，且經耦合到所述漏斗形凹槽；及第二貫穿通路，其延伸穿過所述導電層及所述絕緣層，其中所述第二貫穿通路與所述第一貫穿通路分離且經耦合到所述漏斗形凹槽，所述第一貫穿通路的寬度及所述第二貫穿通路的寬度小于所述漏斗形凹槽的所述下開口的所述寬度，其中所述導電層的厚度是等于或大于所述絕緣層的厚度，其中所述導電層包括通過所述第一貫穿通路彼此分離的第一部分及第二部分，所述第一部分的側壁及所述第二部分的側壁通過所述第一貫穿通路暴露，及所述導電層的所述第一部分、所述第一貫穿通路及所述導電層的所述第二部分形成電容器。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市新竹科學工業園力行六路8號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。