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龍圖騰網(wǎng)恭喜蘇州大學(xué)申請的專利基于表面等離子體共振的納米金光柵透射型微流控傳感器獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN112098374B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202010931077.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01N21/59；該發(fā)明授權(quán)基于表面等離子體共振的納米金光柵透射型微流控傳感器是由秦琳玲;金越;王尨;劉曉同;周舟設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-09-07向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本基于表面等離子體共振的納米金光柵透射型微流控傳感器在說明書摘要公布了：該發(fā)明提供了一種基于等離子體共振的納米金光柵透射型微流控傳感器，該透射型傳感器包括：二氧化硅絕緣襯底；二維金屬光柵陣列，形成于二氧化硅絕緣襯底上；待測物微流腔；以及二氧化硅絕緣頂蓋，并且增加了二氧化硅光柵結(jié)構(gòu)，形成于二氧化硅絕緣頂蓋下。該結(jié)構(gòu)的電場強(qiáng)度較強(qiáng)的區(qū)域集中在待測物腔的位置，光柵結(jié)構(gòu)增強(qiáng)了等離子共振峰，隨著周期的逐漸增加，相同共振模式的透射峰波長位置出現(xiàn)紅移。該模型具有結(jié)構(gòu)簡單、易于大面積制備、成本低的優(yōu)點(diǎn)，靈敏度較高，針對透射率傳感易于檢測，有望成為新型表面等離子傳感器件。

本發(fā)明授權(quán)基于表面等離子體共振的納米金光柵透射型微流控傳感器在權(quán)利要求書中公布了：1.一種基于等離子體共振的納米金光柵透射型微流控傳感器，其特征在于，包括：二氧化硅絕緣體構(gòu)成的腔體作為待測物微流腔，所述待測物微流腔的底部為二氧化硅絕緣襯底，所述二氧化硅絕緣襯底上設(shè)置有二維金屬光柵陣列；所述待測物微流腔的頂部為二氧化硅絕緣頂蓋，所述二氧化硅絕緣頂蓋朝向待測物微流腔的一側(cè)設(shè)置有二維絕緣光柵結(jié)構(gòu)，所述二維絕緣光柵結(jié)構(gòu)的寬度為700-800nm，周期為1200-1400nm，厚度為300-500nm，二維絕緣光柵結(jié)構(gòu)材料為二氧化硅；所述待測物微流腔底部一側(cè)設(shè)置有待測物流入口，所述待測物微流腔底部另一側(cè)設(shè)置有待測物流出口；所述二氧化硅絕緣襯底上設(shè)置的二維金屬光柵陣列寬度為700-800nm，周期為1200-1400nm，厚度為300-500nm，二維金屬光柵陣列材料為金；所述的待測物微流腔厚度為1200-1600nm；所述二氧化硅絕緣襯底厚度為400-600nm；所述的二維絕緣光柵結(jié)構(gòu)形狀和尺寸與二維金屬光柵結(jié)構(gòu)完全一致；所述基于等離子體共振的納米金光柵透射型微流控傳感器的電場強(qiáng)度較強(qiáng)的區(qū)域集中在待測物微流腔的位置，所述光柵結(jié)構(gòu)能增強(qiáng)等離子共振峰，根據(jù)待測物折射率變化△n，相應(yīng)共振模式的透射峰波長位移值△λ,由兩者函數(shù)關(guān)系換算得到靈敏度S；所述的納米金光柵透射型微流控傳感器在使用時(shí)，探測光譜是透射譜，采用分光光度計(jì)測試透射光譜；通過改變二維金屬光柵陣列及二維絕緣光柵的寬度、厚度、周期，使傳感器的透射光譜位置具有可選性。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人蘇州大學(xué)，其通訊地址為：215104 江蘇省蘇州市姑蘇區(qū)干將東路333號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。