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龍圖騰網恭喜索泰克公司申請的專利制造包括位于由SiC制成的載體基板上的單晶SiC薄層的復合結構的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114730699B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080080496.1，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權制造包括位于由SiC制成的載體基板上的單晶SiC薄層的復合結構的方法是由H·比亞爾設計研發完成，并于2020-10-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本制造包括位于由SiC制成的載體基板上的單晶SiC薄層的復合結構的方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種制造包括布置在由碳化硅制成的載體基板上的單晶碳化硅的薄層的復合結構的方法，該方法包括以下步驟：a）提供由單晶碳化硅制成的初始基板，b）在初始基板上外延生長單晶碳化硅供體層，以形成供體基板，c）將輕物質離子注入到供體層中，以形成掩埋脆性平面，d）在低于1000°C的溫度進行直接液體注入化學氣相淀積，以直接在供體層的自由表面上形成載體層，e）沿掩埋脆性平面進行分離，以一方面形成包括位于載體層上的薄層的中間復合結構，并且另一方面形成供體基板的其余部分，f）在介于1000°C至1800°C之間的溫度向中間復合結構施加熱處理，g）對復合結構進行機械和或化學處理。

本發明授權制造包括位于由SiC制成的載體基板上的單晶SiC薄層的復合結構的方法在權利要求書中公布了：1.一種復合結構（1）的制造方法，所述復合結構包括布置在由碳化硅制成的載體基板（20）上的單晶碳化硅的薄層（10），所述制造方法包括以下步驟：a）提供由單晶碳化硅制成的初始基板（11），b）在所述初始基板（11）上外延生長單晶碳化硅的供體層（110），以形成供體基板（111），所述供體層（110）的晶體缺陷密度小于所述初始基板（11）的晶體缺陷密度，c）將輕物質離子注入到所述供體層（110）中，以形成掩埋脆性平面（12），所述掩埋脆性平面（12）將所述薄層（10）界定在所述掩埋脆性平面（12）與所述供體層（110）的自由表面之間，d）在低于1000°C的溫度進行直接液體注入-化學氣相淀積，以直接在所述供體層（110）的所述自由表面上形成載體層（20’），所述載體層（20’）由至少部分無定形的SiC基質形成，e）沿所述掩埋脆性平面（12）進行分離，以一方面形成包括位于所述載體層（20’）上的所述薄層（10）的中間復合結構（1’），并且另一方面形成所述供體基板的其余部分（111’），f）在介于1000°C至1800°C之間的溫度向所述中間復合結構（1’）施加熱處理，以使所述載體層（20’）結晶并形成多晶的載體基板（20），g）對所述復合結構（1）進行機械和或化學處理，所述機械和或化學處理施加于所述載體基板（20）的自由面，和或施加于所述薄層（10）的自由面，所述載體基板（20）的自由面是所述復合結構（1）的背面，并且所述薄層（10）的自由面是所述復合結構（1）的正面。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人索泰克公司，其通訊地址為：法國伯爾寧；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。