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龍圖騰網(wǎng)恭喜三星電子株式會(huì)社申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體器件及制造該半導(dǎo)體器件的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113223971B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202011216450.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/50；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件及制造該半導(dǎo)體器件的方法是由李昌普;孫瓘后;吳俊錫設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-11-04向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體器件及制造該半導(dǎo)體器件的方法在說明書摘要公布了：公開了半導(dǎo)體器件及制造半導(dǎo)體器件的方法。所述方法包括：提供載體基板，所述載體基板包括導(dǎo)電層；將半導(dǎo)體裸片置于所述載體基板上；形成絕緣層以在所述載體基板上覆蓋所述半導(dǎo)體裸片；形成通孔以在所述半導(dǎo)體裸片的側(cè)方穿透所述絕緣層并暴露所述載體基板的所述導(dǎo)電層；執(zhí)行電鍍工藝以形成填充所述通孔的通路，在所述電鍍工藝中所述載體基板的所述導(dǎo)電層用作晶種；在和所述絕緣層的第一表面上形成第一再分布層；去除所述載體基板；以及在所述半導(dǎo)體裸片的第二表面和所述絕緣層上形成第二再分布層，所述第一表面和所述第二表面彼此相對(duì)。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件及制造該半導(dǎo)體器件的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：提供載體基板，所述載體基板包括導(dǎo)電層；將半導(dǎo)體裸片置于所述載體基板上；形成絕緣層以在所述載體基板上覆蓋所述半導(dǎo)體裸片；形成通孔以在所述半導(dǎo)體裸片的側(cè)方穿透所述絕緣層并暴露所述載體基板的所述導(dǎo)電層；形成覆蓋所述通孔的底表面和內(nèi)側(cè)表面的晶種層，其中，所述晶種層與所述載體基板的所述導(dǎo)電層接觸；執(zhí)行電鍍工藝以形成填充所述通孔的通路，在所述電鍍工藝中所述導(dǎo)電層和所述晶種層用作晶種；在所述絕緣層的第一表面上形成第一再分布層；去除所述載體基板；以及在所述半導(dǎo)體裸片和所述絕緣層的第二表面上形成第二再分布層，所述第一表面和所述第二表面彼此相對(duì)。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人三星電子株式會(huì)社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。