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龍圖騰網(wǎng)恭喜格芯新加坡私人有限公司申請的專利部分硅化的非易失性存儲器器件和集成方案獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN114464665B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202111140754.3，技術領域涉及：H10D62/10；該發(fā)明授權部分硅化的非易失性存儲器器件和集成方案是由王藍翔;陳學深;蔡新樹;卓榮發(fā);孫永順設計研發(fā)完成，并于2021-09-28向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本部分硅化的非易失性存儲器器件和集成方案在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及部分硅化的非易失性存儲器器件和集成方案。提供了一種非易失性存儲器器件。該非易失性存儲器器件包括有源區(qū)、n阱區(qū)以及分隔有源區(qū)與n阱區(qū)的隔離區(qū)。可以設置浮置柵極。浮置柵極可以布置在有源區(qū)的一部分和n阱區(qū)的第一部分上方。有源區(qū)中的第一摻雜區(qū)可以在第一側相對于浮置柵極橫向移位，并且有源區(qū)中的第二摻雜區(qū)可以在與第一側相反的第二側相對于浮置柵極橫向移位。接觸可以布置在n阱區(qū)上方，其中接觸可以相對于在n阱區(qū)的第一部分上方的浮置柵極的第一拐角橫向移位。硅化物排斥層可以至少部分地布置在浮置柵極上方。

本發(fā)明授權部分硅化的非易失性存儲器器件和集成方案在權利要求書中公布了：1.一種非易失性存儲器器件，包括：有源區(qū)、n阱區(qū)以及分隔所述有源區(qū)與所述n阱區(qū)的隔離區(qū)；浮置柵極，其位于所述有源區(qū)的一部分和所述n阱區(qū)的第一部分上方；位于所述有源區(qū)中的第一摻雜區(qū)，其在第一側相對于所述浮置柵極橫向移位；位于所述有源區(qū)中的第二摻雜區(qū)，其在與所述第一側相反的第二側相對于所述浮置柵極橫向移位；位于所述n阱區(qū)上方的接觸，其中所述接觸相對于在所述n阱區(qū)的所述第一部分上方的所述浮置柵極的第一拐角橫向移位；以及硅化物排斥層，其至少部分地位于所述浮置柵極上方。

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