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龍圖騰網(wǎng)恭喜清華大學(xué)申請(qǐng)的專利應(yīng)用于壓接型MOSFET的壓裝結(jié)構(gòu)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN110767637B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-11發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：201810829497.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L25/07；該發(fā)明授權(quán)應(yīng)用于壓接型MOSFET的壓裝結(jié)構(gòu)是由陳政宇;曾嶸;趙彪;余占清;劉佳鵬;周文鵬設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2018-07-25向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本應(yīng)用于壓接型MOSFET的壓裝結(jié)構(gòu)在說明書摘要公布了：一種應(yīng)用于壓接型MOSFET的壓裝結(jié)構(gòu)，包括第一銅塊，彈性結(jié)構(gòu)，壓接型MOSFET，電路板和第二銅塊。其中，多個(gè)壓接型MOSFET能夠形成并聯(lián)陣列，排布成環(huán)形或矩陣型。所述壓裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)簡單、緊湊，通流能力和散熱能力增強(qiáng)，拓寬了適用范圍。

本發(fā)明授權(quán)應(yīng)用于壓接型MOSFET的壓裝結(jié)構(gòu)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種壓裝結(jié)構(gòu)，應(yīng)用于壓接型MOSFET，其特征在于：包括第一銅塊，彈性結(jié)構(gòu)，壓接型MOSFET，電路板，第二銅塊；其中，所述第一銅塊底部設(shè)有凹槽，所述彈性結(jié)構(gòu)與所述壓接型MOSFET置于所述凹槽中；所述彈性結(jié)構(gòu)的頂部與所述第一銅塊電氣連接；所述彈性結(jié)構(gòu)的底部與所述壓接型MOSFET的漏極頂部耦接；在沒有外部壓力的情況下，所述第一銅塊與所述電路板不接觸，所述第一銅塊僅通過所述彈性結(jié)構(gòu)與所述壓接型MOSFET漏極電氣連接；所述壓接型MOSFET設(shè)置于所述電路板上面，并且所述壓接型MOSFET底部源極和柵極電氣連接所述電路板；所述電路板下面剛性連接第二銅塊。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人清華大學(xué)，其通訊地址為：100084 北京市海淀區(qū)清華園；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。