恭喜朗姆研究公司游正義獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜朗姆研究公司申請的專利在圖案化中的氧化錫心軸獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113675081B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-08發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110728563.2，技術領域涉及：H01L21/311；該發明授權在圖案化中的氧化錫心軸是由游正義;薩曼莎·西亞姆華·坦;徐相俊;鮑里斯·沃洛斯基;希瓦南達·克里希南·卡納卡薩巴保蒂;理查德·懷斯;潘陽;吳暉榮設計研發完成，并于2019-01-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本在圖案化中的氧化錫心軸在說明書摘要公布了：氧化錫膜在半導體器件制造中用作心軸。在一個實現方式中，該處理開始于提供一種襯底，該襯底具有存在于暴露的蝕刻停止層上的多個突起的氧化錫特征心軸。接下來，在心軸的水平表面和側壁上都形成保形的間隔材料層。然后從水平表面去除間隔材料，從而暴露出心軸的氧化錫材料，而沒有完全去除存在于心軸側壁上的間隔材料例如，留下初始在側壁上的高度的至少50％，例如至少90％。接下來，選擇性地去除心軸例如，使用基于氫的蝕刻化學物質，同時保留存在于心軸側壁上的間隔材料。所得的間隔件可用于圖案化蝕刻停止層和下伏層。
本發明授權在圖案化中的氧化錫心軸在權利要求書中公布了：1.一種處理半導體襯底的方法，所述方法包括a提供半導體襯底，所述半導體襯底具有覆蓋在氧化錫層上的圖案化光致抗蝕劑層；b使用所述圖案化光致抗蝕劑層作為掩模在所述氧化錫層中蝕刻多個開口，其中蝕刻所述多個開口包括使用基于氫的蝕刻化學物質和基于氯的蝕刻化學物質中的至少一種來蝕刻所述氧化錫層；c使用基于氧的蝕刻化學物質至少部分地去除所述光致抗蝕劑層，并形成多個氧化錫心軸；d在所述氧化錫心軸上沉積間隔材料層，使得間隔材料涂覆所述氧化錫心軸的側壁和所述氧化錫心軸的水平部分；e從所述氧化錫心軸的所述水平部分去除所述間隔材料，以及f去除所述氧化錫心軸，以在所述半導體襯底上形成多個間隔件。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人朗姆研究公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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