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龍圖騰網(wǎng)恭喜長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司申請(qǐng)的專利電容器及其制作方法、存儲(chǔ)裝置獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN111785690B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-08發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：201910267929.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B12/00；該發(fā)明授權(quán)電容器及其制作方法、存儲(chǔ)裝置是由鮑錫飛設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-04-03向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本電容器及其制作方法、存儲(chǔ)裝置在說明書摘要公布了：本公開是關(guān)于一種電容器及其制作方法、存儲(chǔ)裝置，所述電容器制作方法包括：提供一基底，并在所述基底上形成接觸層，所述接觸層遠(yuǎn)離所述基底的表面包括至少一個(gè)接觸區(qū)，所述接觸區(qū)遠(yuǎn)離所述基底的表面具有至少兩級(jí)階梯結(jié)構(gòu)；形成覆蓋所述接觸層的支撐層；在所述支撐層上形成一一對(duì)應(yīng)的露出各所述接觸區(qū)的容置孔；在各所述容置孔內(nèi)形成第一電極、第二電極以及分隔第一電極和第二電極的介質(zhì)層，所述第一電極和所述接觸區(qū)接觸。

本發(fā)明授權(quán)電容器及其制作方法、存儲(chǔ)裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種電容器制作方法，其特征在于，所述電容器制作方法包括：提供一基底，并在所述基底上形成接觸層，所述接觸層包括至少一個(gè)接觸區(qū)，各所述接觸區(qū)遠(yuǎn)離所述基底的表面均具有至少兩級(jí)階梯結(jié)構(gòu)；形成覆蓋所述接觸層的支撐層；在所述支撐層上形成一一對(duì)應(yīng)的露出各所述接觸區(qū)的容置孔；在各所述容置孔內(nèi)形成第一電極、第二電極以及分隔第一電極和第二電極的介質(zhì)層，所述第一電極和所述接觸區(qū)接觸。

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