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龍圖騰網(wǎng)恭喜濟南晶正電子科技有限公司申請的專利納米級單晶薄膜獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN108539009B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-04發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201810644600.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10N30/85；該發(fā)明授權(quán)納米級單晶薄膜是由胡卉;朱厚彬;胡文;羅具廷;張秀全;李真宇;李洋洋設(shè)計研發(fā)完成，并于2018-06-21向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本納米級單晶薄膜在說明書摘要公布了：提供了一種納米級單晶薄膜。所述納米級單晶薄膜包括納米級單晶薄膜層、第一過渡層、隔離層、第二過渡層和襯底層，第一過渡層位于納米級單晶薄膜層與隔離層之間，第二過渡層位于隔離層與襯底層之間，其中，第一過渡層包含一定濃度的H元素。

本發(fā)明授權(quán)納米級單晶薄膜在權(quán)利要求書中公布了：1.一種納米級單晶薄膜，其特征在于，所述納米級單晶薄膜包括：納米級單晶薄膜層；隔離層；襯底層；以及第一過渡層和第二過渡層，第一過渡層位于納米級單晶薄膜層與隔離層之間，所述納米級單晶薄膜層的材料為鈮酸鋰、鉭酸鋰或石英，所述隔離層為二氧化硅層；第二過渡層為非晶態(tài)，位于隔離層與襯底層之間，所述襯底層的材料為鈮酸鋰、鉭酸鋰、硅、石英、藍寶石或碳化硅；其中，所述第一過渡層包含一定濃度的H元素，所述第一過渡層中的H元素的濃度為1×1019個原子cc~1×1022個原子cc，第一過渡層中的H元素具有最大濃度處，并且第一過渡層中的H元素的濃度從最大濃度處分別向隔離層和納米級單晶薄膜層的方向逐漸降低。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人濟南晶正電子科技有限公司，其通訊地址為：250101 山東省濟南市高新區(qū)港興三路北段1號濟南藥谷研發(fā)平臺區(qū)1號樓B座1806室；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。