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龍圖騰網恭喜福建中偉半導體材料有限公司申請的專利一種高純銻粉的生產工藝獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119501083B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510083498.0，技術領域涉及：B22F9/12；該發明授權一種高純銻粉的生產工藝是由王中兵;姜曉華;陳宇設計研發完成，并于2025-01-20向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種高純銻粉的生產工藝在說明書摘要公布了：本發明公開了一種高純銻粉的生產工藝，涉及高純銻粉末生產技術領域。該種高純銻粉的生產工藝，包括以下步驟：S1：預設，預準備高純銻粉末生產裝置；S2：上料，將粗銻供入高純銻粉末生產裝置內；S3：提純，步驟S2后，高純銻粉末生產裝置對投入的粗銻進行提純，并對提純后的高純銻粉末進行收集。該種高純銻粉的生產工藝，在負壓狀態下，對坩堝本體進行分區加熱并保溫，能夠使得沸點較低的砷等雜質先揮發出來并冷凝收集，接著，將坩堝底部繼續升溫，使得銻揮發出來冷凝并粉碎，形成高純銻粉末進行收集；在分區加熱時，便于控制分區溫度，并且，能夠對環形罩以及圓錐形鈦板進行冷卻，提高冷凝的效率，進而提高高純銻粉末生產的效率和質量。

本發明授權一種高純銻粉的生產工藝在權利要求書中公布了：1.一種高純銻粉的生產工藝，其特征在于：包括以下步驟：S1：預設，預準備高純銻粉末生產裝置；S2：上料，將粗銻供入高純銻粉末生產裝置內；S3：提純，步驟S2后，高純銻粉末生產裝置對投入的粗銻進行提純，并對提純后的高純銻粉末進行收集；所述高純銻粉末生產裝置包括坩堝本體（1）和真空箱本體（11），且坩堝本體（1）包括坩堝蓋（101），所述真空箱本體（11）包括箱門（1101）和設置在底部的加熱模塊（1102），且坩堝蓋（101）的頂部固定插設有固定管（12），所述固定管（12）的側壁固定插設有抽氣管（25），且抽氣管（25）內設置有單向閥，所述坩堝蓋（101）的頂部固定連接有限位環（13），且固定管（12）的側壁從下而上依次套設有圓錐形鈦板（14）、不銹鋼蓋（15）和不銹鋼密封套（16），所述固定管（12）位于不銹鋼密封套（16）內的側壁開設有多個陣列設置的氣孔（18），所述坩堝蓋（101）的頂部開設有多個陣列設置的第一通孔（17），且坩堝蓋（101）的底部設置有用于對第一通孔（17）進行封堵密封的第一密封機構，所述固定管（12）內設置有第二密封機構，且不銹鋼密封套（16）的側壁開設有第一環形槽（19），所述第一環形槽（19）內插設有兩個半圓形設置的收集盤（20），且不銹鋼密封套（16）的側壁固定連接有U形塊（26），所述圓錐形鈦板（14）的內側壁開設有第二環形槽（21），且第二環形槽（21）的底部開設有多個陣列設置的粉末收集孔（22），所述圓錐形鈦板（14）的側壁開設有第三環形槽（23），且第三環形槽（23）內插設有兩個弧形設置的收集槽（24），所述第二環形槽（21）內設置有用于對冷凝后的高純銻進行粉碎的粉碎機構；所述真空箱本體（11）兩個相對的側壁均設置有用于對坩堝本體（1）的加熱溫度進行控制的控制機構，且真空箱本體（11）的頂部設置有用于對圓錐形鈦板（14）以及不銹鋼密封套（16）進行制冷的冷卻機構；各個所述控制機構包括第一移動板（201），且第一移動板（201）通過移動機構與真空箱本體（11）的內壁連接，所述第一移動板（201）的側壁固定插設有多個陣列設置的絕熱管（202），且各個絕熱管（202）內設置有溫度傳感器（203），位于上方的兩個所述絕熱管（202）的側壁固定插設有中空設置的弧形罩（204），且真空箱本體（11）的側壁固定連接有第一冷卻箱（205），所述第一冷卻箱（205）的一側固定連接有兩個對稱設置的第一供液泵（206），且各個第一供液泵（206）的另一端固定連接有第一電磁閥（207），所述第一電磁閥（207）和弧形罩（204）之間固定連接有第一進液管（208），且第一冷卻箱（205）的另一側連接有兩個對稱設置的連通管（212），各個所述連通管（212）的另一端固定連接有換熱器（211），所述換熱器（211）的進口固定連接有第二電磁閥（210），且第二電磁閥（210）和弧形罩（204）之間固定連接有第一回液管（209）。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人福建中偉半導體材料有限公司，其通訊地址為：365000 福建省三明市三元區巖前鎮吉口產業園吉源路21號1幢1號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。