恭喜日月光半導體制造股份有限公司彭勃澍獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜日月光半導體制造股份有限公司申請的專利半導體裝置封裝及制造半導體裝置封裝的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110137150B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-01發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201810330533.4，技術領域涉及：H01L23/498；該發明授權半導體裝置封裝及制造半導體裝置封裝的方法是由彭勃澍;何政霖;李志成設計研發完成，并于2018-04-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置封裝及制造半導體裝置封裝的方法在說明書摘要公布了：本申請涉及半導體裝置封裝及制造半導體裝置封裝的方法。本發明提供一種襯底，其包含具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面的第一電介質層、鄰近于所述第一電介質層的所述第一表面且包括互連結構的第一圖案化導電層以及互連元件。所述互連元件從所述第一電介質層的所述第一表面延伸到所述第一電介質層的所述第二表面，且由所述互連結構圍繞。
本發明授權半導體裝置封裝及制造半導體裝置封裝的方法在權利要求書中公布了：1.一種襯底，其包括：第一電介質層，其具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面；第一圖案化導電層，其鄰近于所述第一電介質層的所述第一表面且包括嵌入于所述第一電介質層的互連結構及鄰近于所述互連結構的導電跡線；以及互連元件，其從所述第一電介質層的所述第一表面延伸到所述第一電介質層的所述第二表面且由所述互連結構圍繞，其中所述第一電介質層的所述第一表面、所述互連結構的頂表面及所述互連元件的頂表面大體上共面，其中所述第一圖案化導電層嵌入于所述第一電介質層中，且所述第一電介質層的所述第一表面與所述第一圖案化導電層的表面大體上共面，其中所述互連元件包括第一部分和第二部分，其中所述互連元件的所述第一部分包括圓柱形結構且所述互連元件的所述第二部分包括圓錐形結構，且其中所述互連元件的所述第一部分的寬度小于所述互連元件的所述第二部分的寬度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人日月光半導體制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣高雄市楠梓加工區經三路26號郵編81170；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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