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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利芯片封裝件及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110660751B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-01發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910293383.9，技術領域涉及：H01L23/31；該發明授權芯片封裝件及其制作方法是由陳冠宇;蘇安治;葉德強;黃立賢;葉名世設計研發完成，并于2019-04-12向國家知識產權局提交的專利申請。

本芯片封裝件及其制作方法在說明書摘要公布了：一種芯片封裝件，包括集成電路組件、導熱層、絕緣包封體及重布線路結構。所述集成電路組件包括位于所述集成電路組件的后表面處的非晶半導體部分。所述導熱層覆蓋所述集成電路組件的所述非晶半導體部分，其中所述導熱層的導熱率大于或大體上等于10WmK。所述絕緣包封體在橫向上對所述集成電路組件及所述導熱層進行包封。所述重布線路結構設置在所述絕緣包封體及所述集成電路組件上，其中所述重布線路結構電連接到所述集成電路組件。

本發明授權芯片封裝件及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種芯片封裝件，其特征在于，包括：集成電路組件，包括位于所述集成電路組件的后表面處的非晶半導體部分；導熱層，覆蓋所述集成電路組件的所述非晶半導體部分，其中所述導熱層的導熱率介于10WmK到250WmK的范圍內；絕緣包封體，對所述集成電路組件及所述導熱層進行包封；重布線路結構，設置在所述絕緣包封體及所述集成電路組件上，其中所述重布線路結構電連接到所述集成電路組件；半導體器件，設置于所述集成電路組件及所述絕緣包封體之上，其中所述半導體器件電連接所述集成電路組件；多個導電穿孔貫穿所述絕緣包封體；以及多個導電凸塊，設置于所述半導體器件與所述多個導電穿孔貫穿之間，其中所述半導體器件通過所述多個導電凸塊、所述多個導電穿孔貫及所述重布線路結構電連接所述集成電路組件。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹科學工業園區新竹市力行六路八號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。