恭喜長鑫存儲技術有限公司請求不公布姓名獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜長鑫存儲技術有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法、存儲器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112908840B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-01發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201911220158.9，技術領域涉及：H10D64/01；該發明授權半導體結構及其形成方法、存儲器是由請求不公布姓名設計研發完成，并于2019-12-03向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其形成方法、存儲器在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法、一種存儲器，所述半導體結構的形成方法包括：提供襯底，所述襯底內形成有至少一個長條狀有源區，所述有源區被隔離結構包圍；刻蝕所述有源區及所述有源區兩側的隔離結構，形成柵極凹槽，所述柵極凹槽的長度方向與所述有源區的長度方向相交，所述柵極凹槽包括位于所述有源區內的第一凹槽和位于所述隔離結構內的第二凹槽，且所述第一凹槽底部的有源區頂部表面平坦，邊緣圓滑；在所述柵極凹槽內形成柵極結構。上述方法形成的半導體結構的性能提高。
本發明授權半導體結構及其形成方法、存儲器在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：提供襯底，所述襯底內形成有至少一個長條狀有源區，所述有源區被隔離結構包圍；刻蝕所述有源區及所述有源區兩側的隔離結構，形成柵極凹槽，所述柵極凹槽的長度方向與所述有源區的長度方向相交，所述柵極凹槽包括位于所述有源區內的第一凹槽和位于所述隔離結構內的第二凹槽，且所述第一凹槽底部的有源區頂部表面平坦，邊緣圓滑；在所述柵極凹槽內形成柵極結構；其中，所述第一凹槽的深度小于所述第二凹槽的深度，且所述第一凹槽底部的有源區頂部邊緣的頂角圓滑。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長鑫存儲技術有限公司，其通訊地址為：230001 安徽省合肥市蜀山區經濟技術開發區翠微路6號海恒大廈630室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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