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龍圖騰網(wǎng)恭喜長鑫存儲技術(shù)有限公司申請的專利一種半導(dǎo)體器件及其制作方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN112951825B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-01發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201911257093.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B12/00；該發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體器件及其制作方法是由吳秉桓設(shè)計研發(fā)完成，并于2019-12-10向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種半導(dǎo)體器件及其制作方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制作方法。包括：獲取包括存儲單元陣列區(qū)的襯底；形成字線溝槽；在字線溝槽內(nèi)形成字線導(dǎo)電薄膜；在襯底表面形成光刻膠，光刻膠覆蓋字線部的字線導(dǎo)電薄膜且露出字線接觸部之外的字線導(dǎo)電薄膜；使得字線接觸部的字線導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的厚度大于未被光刻膠覆蓋的字線導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的厚度。通過在襯底表面形成光刻膠，使得字線接觸部的字線導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的厚度大于未被光刻膠覆蓋的字線導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的厚度，從而降低了字線接觸結(jié)構(gòu)中字線接觸孔的開窗位置深度，減少了形成接觸孔工藝制程中的工藝時間，降低了接觸孔工藝制程中對接觸孔開窗深度較淺的接觸孔的側(cè)壁的過度侵蝕，避免了接觸孔異常引起的器件短路異常。

本發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體器件及其制作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件的制作方法,包括：獲取襯底，所述襯底包括存儲單元陣列區(qū)；在所述存儲單元陣列區(qū)形成間隔排布的字線溝槽；在所述字線溝槽內(nèi)填充字線導(dǎo)電材料，形成字線導(dǎo)電薄膜，所述字線導(dǎo)電薄膜的表面與所述襯底的表面齊平；在所述襯底表面形成光刻膠，所述光刻膠覆蓋字線接觸部的字線導(dǎo)電薄膜且露出字線接觸部之外的字線導(dǎo)電薄膜；以所述光刻膠為阻擋層，將未被所述光刻膠覆蓋的所述字線導(dǎo)電薄膜蝕刻至目標高度后得到字線導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，使得所述字線接觸部的字線導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的厚度大于未被所述光刻膠覆蓋的字線導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的厚度，即所述字線接觸部的表面與所述襯底的表面齊平，所述字線導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的表面低于所述襯底的表面；去除所述光刻膠；所述襯底還包括周邊電路區(qū)，所述周邊電路區(qū)包括晶體管有源區(qū)，所述方法還包括：在所述襯底表面形成絕緣介質(zhì)層，所述絕緣介質(zhì)層包括位于所述存儲單元陣列區(qū)的第一絕緣介質(zhì)層和位于所述周邊電路區(qū)的第二絕緣介質(zhì)層，所述第一絕緣介質(zhì)層覆蓋所述字線接觸部以及所述字線導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的表面，所述第二絕緣介質(zhì)層覆蓋所述晶體管有源區(qū)的表面，其中，所述第一絕緣介質(zhì)層和所述第二絕緣介質(zhì)層的表面齊平，其中，所述第一絕緣介質(zhì)層和所述第二絕緣介質(zhì)層是通過同一工藝制程形成的；圖形化所述第一絕緣介質(zhì)層和所述第二絕緣介質(zhì)層，在所述字線接觸部上形成字線接觸孔，在所述晶體管有源區(qū)上形成有源區(qū)接觸孔。

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