恭喜芯成半導體(開曼)有限公司S·阿拉基獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜芯成半導體(開曼)有限公司申請的專利自旋軌道扭矩磁存儲器陣列及其制造獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113841248B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-01發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：201980092229.3，技術領域涉及：H10B61/00；該發(fā)明授權自旋軌道扭矩磁存儲器陣列及其制造是由S·阿拉基設計研發(fā)完成，并于2019-12-17向國家知識產權局提交的專利申請。
本自旋軌道扭矩磁存儲器陣列及其制造在說明書摘要公布了：一種磁存儲器件300，包括在沿著第一方向延伸的第一導線102和沿著第二方向延伸的第二導線314的網格交叉處的自旋軌道扭矩磁隨機存取存儲器SOT?MRAM器件104和寫入電路，所述寫入電路包括第一晶體管116和第二晶體管118，第一晶體管被耦合到每個對應第一導線以在第一方向上沿著第一導線施加第一寫入電流120，第二晶體管118用于選擇單獨的SOT?MRAM器件并沿著垂直于單獨的SOT?MRAM器件的層的軸線向單獨的SOT?MRAM器件施加第二寫入電流122。對應的制造方法包括沉積公共層和電隔離相應公共層的不同實例。
本發(fā)明授權自旋軌道扭矩磁存儲器陣列及其制造在權利要求書中公布了：1.一種制造磁存儲器件的方法，包括：沉積第一導電材料層，所述第一導電材料層被用于形成自旋軌道扭矩SOT線；電隔離所述第一導電材料層以形成沿著第一方向延伸的多個第一導線；在所述第一導電材料層上沉積公共組器件層；電隔離所述公共組器件層以形成多個自旋軌道扭矩磁隨機存取存儲器SOT-MRAM器件，其中，所述多個SOT-MRAM器件中的每個SOT-MRAM器件位于所述第一導電材料層上；在所述公共組器件層上沉積第二導電材料層；以及電隔離所述第二導電材料層以形成沿著第二方向延伸的多個第二導線，其中，所述第二方向不同于所述第一方向，其中，電隔離所述公共組器件層包括將所述公共組器件層蝕刻成在第二方向上延伸的線。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數(shù)據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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