恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司林孟漢獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利集成電路和用于形成集成電路的方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN112599530B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-01發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202010897164.4,技術領域涉及:H10B41/35;該發明授權集成電路和用于形成集成電路的方法是由林孟漢;謝智仁設計研發完成,并于2020-08-31向國家知識產權局提交的專利申請。
本集成電路和用于形成集成電路的方法在說明書摘要公布了:一種集成電路和用于形成集成電路的方法,集成電路裝置包括具有記憶體區域和邏輯區域的半導體基板。在記憶體區域中的記憶體單元包括選擇柵極,選擇柵極經由浮動柵極間隔物與浮動柵極分隔。在與浮動柵極相對的選擇柵極的一側上形成選擇柵極間隔物。選擇柵極間隔物在大部分的選擇柵極上方具有均勻的厚度。形成選擇柵極間隔物的第一層可能經由氧化選擇柵極電極。形成選擇柵極間隔物的第二層可能經由原子層沉積。當間隔物形成在邏輯區域中相鄰于邏輯柵極時,記憶體區域可能以保護層覆蓋。
本發明授權集成電路和用于形成集成電路的方法在權利要求書中公布了:1.一種集成電路,其特征在于,包含:一半導體基板,其包含一記憶體區域和一邏輯區域;多個快閃記憶體單元,在該記憶體區域內,該些快閃記憶體單元中的各者包含一浮動柵極、一控制柵極、和一選擇柵極,該些選擇柵極中的各者包含一選擇柵極電極、一選擇柵極介電質其相鄰于在該選擇柵極電極下方的該半導體基板,和一選擇柵極間隔物其在相對于該浮動柵極的該選擇柵極電極的一側上;以及多個邏輯柵極,其在該邏輯區域中,該些邏輯柵極中的各者包含一邏輯柵極電極、和邏輯柵極間隔物其在該邏輯柵極電極的任一側上;其中該選擇柵極間隔物的一組成分不同于該些邏輯柵極間隔物的一組成分;其中,與該選擇柵極介電質的遠離該選擇柵極間隔物的一側相比,該選擇柵極介電質在與該選擇柵極間隔物的相鄰的一側上較厚。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司,其通訊地址為:中國臺灣新竹市新竹科學工業園區力行六路八號;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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