恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司何宜臻獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利集成電路晶粒及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113013102B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-01發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010935547.6，技術領域涉及：H10D84/03；該發明授權集成電路晶粒及其制造方法是由何宜臻;林千;林子瑋;謝忠儒;賴經綸;羅名凱設計研發完成，并于2020-09-08向國家知識產權局提交的專利申請。
本集成電路晶粒及其制造方法在說明書摘要公布了：一種集成電路晶粒及其制造方法，集成電路晶粒包括FinFET晶體管。FinFET晶體管包括在通道區域下方的防沖穿區域。在形成源極區域及漏極區域的過程中，從防沖穿區域移除不需要的摻雜劑。當形成源極及漏極凹座時，在凹座中沉積介電材料層。接著執行退火制程。在退火制程中，不需要的摻雜劑從防沖穿區域擴散至介電材料層內。接著，移除介電材料層。然后，通過在凹座中沉積半導體材料來形成源極區域及漏極區域。
本發明授權集成電路晶粒及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種制造集成電路晶粒的方法，其特征在于，包含以下步驟：形成包括一通道區域及一防沖穿區域的一半導體鰭片；在該半導體鰭片中形成一凹座，該凹座具有鄰接該防沖穿區域的一側壁；沉積一介電材料層在該凹座的該側壁上；當該介電材料層在該凹座的該側壁上時執行一退火制程，其中該執行該退火制程包括：將一第一摻雜劑自該防沖穿區域擴散至該介電材料層內；在執行該退火制程之后，自該凹座的該側壁移除該介電材料層；以及通過在該凹座中沉積一半導體材料以在該半導體鰭片中形成一晶體管源極區域。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市新竹科學工業園區力行六路八號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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