恭喜恩耐公司陳之綱獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜恩耐公司申請的專利用于優化有源區應變和改善激光二極管性能的被應變設計的包覆層獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114503381B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-01發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080068797.2，技術領域涉及：H01S5/30；該發明授權用于優化有源區應變和改善激光二極管性能的被應變設計的包覆層是由陳之綱;M·坎斯卡設計研發完成，并于2020-09-15向國家知識產權局提交的專利申請。
本用于優化有源區應變和改善激光二極管性能的被應變設計的包覆層在說明書摘要公布了：一些實施例可包括激光二極管，該激光二極管具有用于優化有源區應變和改善激光二極管性能的被應變設計的包覆層。在一個實施例中，激光二極管可以包括具有第一晶格常數的材料成分的半導體襯底；以及在半導體襯底上形成的多個外延層，多個外延層包括波導層和包覆層，其中，波導層包括具有與目標光波長相關的材料成分的有源區，其中，有源區的材料成分的第二晶格常數不同于第一晶格常數；其中，包覆層的單個包覆層的材料成分和或厚度被設置成在有源區上施加目標應力場，以優化有源區應變。可以公開和或要求保護其他實施例。
本發明授權用于優化有源區應變和改善激光二極管性能的被應變設計的包覆層在權利要求書中公布了：1.一種激光二極管，包括：半導體襯底，所述半導體襯底具有帶有第一晶格常數的材料成分；和多個外延層，所述多個外延層形成在所述半導體襯底上，所述多個外延層包括波導層和包覆層，其中，所述波導層包括具有與目標光波長相關的材料成分的有源區，其中，所述有源區的材料成分的第二晶格常數不同于所述第一晶格常數；其中，所述包覆層中的單個包覆層的材料成分在所述有源區上施加應力場；其中，所述包覆層中的所述單個包覆層包括應變調節材料，以及其中，所述包覆層中的所述單個包覆層包括兩個或更多個子層，所述子層中的一個子層中的所述應變調節材料的平均濃度與所述子層中的不同的一個子層中的所述應變調節材料的平均濃度不同。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人恩耐公司，其通訊地址為：美國華盛頓州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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