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龍圖騰網恭喜長飛先進半導體(武漢)有限公司申請的專利半導體器件、功率模塊、轉換電路、車輛及器件制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119342872B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-25發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411885611.9，技術領域涉及：H10D30/66；該發明授權半導體器件、功率模塊、轉換電路、車輛及器件制備方法是由羅成志;謝煒;唐宇坤設計研發完成，并于2024-12-20向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件、功率模塊、轉換電路、車輛及器件制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種半導體器件、功率模塊、轉換電路、車輛及器件制備方法，其中，半導體器件包括：半導體本體，半導體本體包括襯底、外延層、阱區、第一區域和第二區域，半導體本體設置有柵極溝槽和源極溝槽，柵極溝槽和源極溝槽均從第一表面延伸至外延層中；第二區域設置于源極溝槽遠離或靠近柵極溝槽的一側；第一區域和外延層為第一摻雜類型，阱區和第二區域為第二摻雜類型；柵極結構，位于柵極溝槽內；源極結構，位于源極溝槽內；漏極，位于襯底遠離外延層一側。本發明提供半導體器件降低了半導體器件反向導通壓降，提高了半導體器件反接時的泄流速度，提高了半導體器件的性能穩定性和安全性。

本發明授權半導體器件、功率模塊、轉換電路、車輛及器件制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，其特征在于，包括：半導體本體，包括襯底、外延層、阱區、第一區域、第二區域和埋層，所述外延層位于所述襯底一側，所述阱區設置于所述外延層遠離所述襯底的一側，所述第一區域設置于所述阱區遠離所述襯底的一側；所述第一區域遠離所述襯底一側的表面作為第一表面，所述第一表面分別設置有柵極溝槽和源極溝槽，所述柵極溝槽和所述源極溝槽均從所述第一表面延伸至所述外延層中；所述第二區域設置于所述源極溝槽遠離或靠近所述柵極溝槽的一側，所述埋層設置于所述源極溝槽的另一側；所述第二區域從所述第一表面延伸至所述外延層中；所述埋層在所述源極溝槽側壁上的正投影與所述阱區和所述第一區域在所述源極溝槽側壁上的正投影不交疊；所述第一區域和所述外延層為第一摻雜類型，所述阱區和所述第二區域為第二摻雜類型；柵極結構，位于所述柵極溝槽內；源極結構，位于所述源極溝槽內；源極金屬層，位于所述第一表面，與所述源極結構接觸；漏極，位于所述襯底遠離所述外延層一側。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長飛先進半導體(武漢)有限公司，其通訊地址為：430000 湖北省武漢市東湖新技術開發區高新大道999號武漢未來科技城龍山創新園一期B4棟18樓546室(自貿區武漢片區)；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。