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龍圖騰網(wǎng)恭喜合肥晶合集成電路股份有限公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體線路修補(bǔ)方法及半導(dǎo)體測(cè)試方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119395515B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-25發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202411983557.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01R31/28；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體線路修補(bǔ)方法及半導(dǎo)體測(cè)試方法是由胡明輝;王麗雅;王成龍?jiān)O(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-12-31向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體線路修補(bǔ)方法及半導(dǎo)體測(cè)試方法在說明書摘要公布了：本申請(qǐng)涉及一種半導(dǎo)體線路修補(bǔ)方法及半導(dǎo)體測(cè)試方法，包括提供一待測(cè)樣品，所述待測(cè)樣品包括襯底、位于所述襯底上的柵極結(jié)構(gòu)及介質(zhì)層，所述介質(zhì)層覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)并延伸覆蓋所述襯底，其中，所述介質(zhì)層具有第一接觸孔，以暴露所述襯底的接觸區(qū)，所述接觸區(qū)用于連接所述待測(cè)樣品與外部電路；于所述第一接觸孔內(nèi)形成覆蓋所述接觸區(qū)的保護(hù)層；去除部分所述介質(zhì)層，以于所述介質(zhì)層內(nèi)形成溝槽，所述溝槽形成于所述保護(hù)層遠(yuǎn)離所述柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)；去除所述保護(hù)層，以使所述溝槽和所述第一接觸孔形成具有臺(tái)階面且暴露所述接觸區(qū)的溝槽結(jié)構(gòu)；于所述溝槽結(jié)構(gòu)內(nèi)形成金屬層。本申請(qǐng)?zhí)嵘私饘賹拥奶畛湫Ч瑴p少或避免了開路或短路的風(fēng)險(xiǎn)。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體線路修補(bǔ)方法及半導(dǎo)體測(cè)試方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體線路修補(bǔ)方法，其特征在于，包括：提供一待測(cè)樣品，所述待測(cè)樣品包括襯底、位于所述襯底上的柵極結(jié)構(gòu)及介質(zhì)層，所述介質(zhì)層覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)并延伸覆蓋所述襯底，其中，所述介質(zhì)層具有第一接觸孔，以暴露所述襯底的接觸區(qū)，所述接觸區(qū)用于連接所述待測(cè)樣品與外部電路；于所述第一接觸孔內(nèi)形成覆蓋所述接觸區(qū)的保護(hù)層；去除部分所述介質(zhì)層，以于所述介質(zhì)層內(nèi)形成溝槽，所述溝槽形成于所述保護(hù)層遠(yuǎn)離所述柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)；去除所述保護(hù)層，以使所述溝槽和所述第一接觸孔形成具有臺(tái)階面且暴露所述接觸區(qū)的溝槽結(jié)構(gòu)；于所述溝槽結(jié)構(gòu)內(nèi)形成覆蓋所述接觸區(qū)的金屬層，所述金屬層填滿所述溝槽結(jié)構(gòu)并覆蓋所述臺(tái)階面。

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