恭喜太浩研究有限公司G.A.格拉斯獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜太浩研究有限公司申請的專利具有富鍺溝道區的降低泄漏的晶體管獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113838755B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111084347.5，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權具有富鍺溝道區的降低泄漏的晶體管是由G.A.格拉斯;K.賈姆布納坦;A.S.墨菲;C.S.莫哈帕特拉;S.金;姜俊成設計研發完成，并于2015-12-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本具有富鍺溝道區的降低泄漏的晶體管在說明書摘要公布了：本發明涉及具有富鍺溝道區的降低泄漏的晶體管。公開了用于制造配置有降低寄生泄漏（即通過與晶體管相關聯的源極區和漏極區之間的底層襯底的一部分的電流泄漏）的子鰭絕緣層的半導體晶體管器件的技術。通過制造襯底的子鰭區中的犧牲層在鰭的至少一個溝道區下面的晶體管來降低寄生泄漏。在處理期間，利用電介質材料整體或部分地去除并替換子鰭區中的犧牲層。該電介質材料增加鰭的對應源極和漏極部分之間的襯底的電阻率，因此降低寄生泄漏。
本發明授權具有富鍺溝道區的降低泄漏的晶體管在權利要求書中公布了：1.一種用于制造半導體器件的方法，包括：提供襯底以及位于襯底上的溝道層，其中包括溝道層的至少一個鰭在源極區和漏極區之間，電介質層在至少一個鰭中的每一個之間，并且犧牲層在襯底和溝道層之間的子鰭區中；去除至少一個鰭中的每一個之間的電介質材料的一部分以暴露犧牲層的步長；從襯底和溝道層之間的子鰭區去除犧牲層的至少一部分，由此暴露由壁限定的腔；以及將電介質材料沉積在腔中，使得限定腔的壁完全襯有電介質材料，并且襯有電介質材料的腔限定氣隙。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人太浩研究有限公司，其通訊地址為：愛爾蘭都柏林；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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