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龍圖騰網恭喜蘇州立琻半導體有限公司申請的專利半導體器件以及半導體器件封裝獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114093994B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111318032.2，技術領域涉及：H10H20/831；該發明授權半導體器件以及半導體器件封裝是由樸修益;成演準;金珉成;李容京;李恩得設計研發完成，并于2017-06-20向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件以及半導體器件封裝在說明書摘要公布了：實施例公開了一種半導體器件，包括：襯底；發光結構，在該發光結構的厚度方向上包括第一導電半導體層、第二導電半導體層、設置有源層、以及穿過第二導電半導體層和有源層、以及部分第一導電半導體層的多個凹槽；第一電極，電連接到第一導電半導體層；第二電極，電連接到第二導電半導體層；第一導電層，與第一電極電連接；第二導電層，與第二電極電連接，第二導電半導體層包括設置在第一方向上最鄰近的兩個凹槽之間的1?1表面，1?1表面包括設置有在第一方向上彼此間隔開的多個第二電極的第一部分和設置在多個第二電極之間的第二部分，第二導電層設置在第一部分和第二部分之間，第二部分與第一部分在第一方向上的寬度比在1：0.7至1：5的范圍內。

本發明授權半導體器件以及半導體器件封裝在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，包括：襯底；發光結構，在該發光結構的厚度方向上包括第一導電半導體層、第二導電半導體層、設置在所述第一導電半導體層和所述第二導電半導體層之間的有源層、以及穿過所述第二導電半導體層和所述有源層、以及部分所述第一導電半導體層的多個凹槽；第一電極，通過接觸設置在所述多個凹槽的頂表面上的所述第一導電半導體層而電連接到所述第一導電半導體層；第二電極，通過接觸所述第二導電半導體層而電連接到所述第二導電半導體層；第一導電層，與所述第一電極電連接；以及第二導電層，與所述第二電極電連接，其中，所述第二導電半導體層包括設置在第一方向上最鄰近的兩個凹槽之間的1-1表面，并且所述第一方向是與所述發光結構的厚度方向垂直的方向，其中，所述1-1表面包括設置有在所述第一方向上彼此間隔開的多個第二電極的第一部分和設置在所述多個第二電極之間的第二部分，其中，所述第二導電層覆蓋所述第二電極，并且位于相鄰第二電極之間，其中，所述第二部分與所述第一部分在第一方向上的寬度比在1：0.7至1：5的范圍內，其中，所述第一部分在所述第一方向上的寬度在12μm至24μm的范圍內，所述第二部分在所述第一方向上的寬度在5μm至16μm的范圍內，其中，所述第二導電半導體層具有與所述第二電極相對的第一表面，所述第一表面包括所述1-1表面，其中，所述第一表面包括與所述第二電極彼此接觸的第一接觸面積以及與所述第二電極彼此不接觸的第二接觸面積，以及其中，所述第二接觸面積與所述第一接觸面積的比率在1：0.7至1：6的范圍內。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州立琻半導體有限公司，其通訊地址為：215499 江蘇省蘇州市太倉市常勝北路168號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。