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龍圖騰網(wǎng)恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結(jié)構及其形成方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN112151451B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：201910572382.8，技術領域涉及：H10D84/03；該發(fā)明授權半導體結(jié)構及其形成方法是由唐睿智;李波;劉琳;黃豪俊;劉佳磊設計研發(fā)完成，并于2019-06-28向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本半導體結(jié)構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結(jié)構及其形成方法，形成方法包括：提供基底及凸出于所述基底的鰭部，所述基底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；在所述第一區(qū)域和第二區(qū)域的鰭部上形成第一功函數(shù)層；在所述第一功函數(shù)層上形成第二功函數(shù)層；在所述第二功函數(shù)層上形成第三功函數(shù)層；在所述第三功函數(shù)層上形成保護層；在所述第一區(qū)域和第二區(qū)域的基底上形成光刻膠涂層，所述光刻膠涂層覆蓋所述保護層；去除所述第一區(qū)域的所述光刻膠涂層，露出所述第一區(qū)域的保護層；去除露出的所述保護層；去除所述第一區(qū)域的所述第三功函數(shù)層。本發(fā)明有助于保護所述第一區(qū)域的所述第二功函數(shù)層，防止去除所述第一區(qū)域的所述光刻膠涂層的工藝中，所述第一區(qū)域的所述第二功函數(shù)層受到刻蝕。

本發(fā)明授權半導體結(jié)構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結(jié)構形成方法，其特征在于，包括：提供基底及凸出于所述基底的鰭部，所述基底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；在所述第一區(qū)域和第二區(qū)域的鰭部上形成第一功函數(shù)層；在所述第一功函數(shù)層上形成第二功函數(shù)層；在所述第二功函數(shù)層上形成第三功函數(shù)層；在所述第三功函數(shù)層上形成保護層；在所述第一區(qū)域和第二區(qū)域的基底上形成光刻膠涂層，所述光刻膠涂層覆蓋所述保護層；去除所述第一區(qū)域的所述光刻膠涂層，露出所述第一區(qū)域的保護層；去除露出的所述保護層；去除所述第一區(qū)域的所述第三功函數(shù)層；去除所述第二區(qū)域的所述光刻膠涂層；去除所述第二區(qū)域的所述保護層；在所述第一區(qū)域的所述第二功函數(shù)層上形成第四功函數(shù)層，在所述第二區(qū)域的第三功函數(shù)層上形成第五功函數(shù)層；其中，所述保護層用于在去除所述光刻膠涂層的過程中保護所述第一區(qū)域的第三功函數(shù)層，進而保護所述第一區(qū)域的第二功函數(shù)層，避免所述第一區(qū)域的第二功函數(shù)層受到損傷；形成所述光刻膠涂層后，去除所述第一區(qū)域的所述光刻膠涂層前，還包括：在所述光刻膠涂層頂部形成氧化層。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢嗳?a target="_blank" rel="noopener noreferrer nofollow" >中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區(qū)張江路18號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。