恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司吳榮堂獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體裝置的形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110957267B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910921677.1，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權半導體裝置的形成方法是由吳榮堂;連紹慈;廖啟宏;吳思樺;歐陽良岳;李錦思設計研發完成，并于2019-09-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置的形成方法在說明書摘要公布了：提供內連線結構及其形成方法。形成介電層及其中的開口于基底之上。形成導電晶種層于介電層的頂面之上、以及沿著開口的底端和側壁。形成導電填充層于晶種層之上。可透過表面預處理還原移除晶種層表面上的金屬氧化物。在清潔表面未暴露于氧的情況下，透過沉積填充材料于晶種層之上覆蓋清潔表面。表面處理可包含使用氫自由基的反應性遠程等離子體清潔。如果使用電鍍沉積填充層，則表面處理可包含在開啟電鍍電流之前將基底浸至于電解質中。其他表面處理可包含使用氫自由基的主動預處理；或使用MCxT設備的Ar濺射。
本發明授權半導體裝置的形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置的形成方法，包括：形成一介電層于一基底之上；形成一開口于該基底上的該介電層中；沿著該開口的側壁和底端沉積一導電晶種層，其中氧化物層形成在該導電晶種層上；暴露該氧化物層于氫自由基；透過將該基底浸于一化學浴中，從該導電晶種層的一表面移除至少一部分的該氧化物層；以及在移除該氧化物層之后，在該基底在該化學浴中的同時，電鍍一導電層于該導電晶種層上。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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