恭喜愛思開海力士有限公司韓在賢獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜愛思開海力士有限公司申請的專利包括可變電阻元件的半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112993154B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010559840.7，技術領域涉及：H10N70/00；該發明授權包括可變電阻元件的半導體器件是由韓在賢設計研發完成，并于2020-06-18向國家知識產權局提交的專利申請。
本包括可變電阻元件的半導體器件在說明書摘要公布了：本公開提供了一種包括可變電阻器件的半導體器件。根據本公開的一個實施例的可變電阻元件包括：離子接收層，其具有頂部、底部和將頂部與底部連接的側壁；離子供給層，其具有與離子接收層的側壁的至少一部分連接的內側壁；柵極圖案，其連接到離子供給層的外側壁；以及源極圖案，其與離子接收層的頂部或底部之一連接，和漏極圖案，其與離子接收層的頂部或底部中的另一個連接，其中離子接收層的電阻根據基于施加到柵極圖案的電壓而從離子供給層供應的離子的量來變化。
本發明授權包括可變電阻元件的半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，包括至少一個可變電阻元件，所述可變電阻元件包括：離子接收層，其具有頂部、底部和將所述頂部與所述底部連接的側壁；離子供給層，其具有與所述離子接收層的側壁的至少一部分連接的內側壁；柵極圖案，其與所述離子供給層的外側壁連接；以及源極圖案，其與所述離子接收層的頂部或底部之一連接，和漏極圖案，其與所述離子接收層的頂部或底部中的另一個連接，其中，所述離子接收層的電阻根據基于施加到所述柵極圖案的電壓而從所述離子供給層供應的金屬離子的量來變化，其中，所述離子供給層包括向作為溝道的所述離子接收層供應金屬陽離子的材料。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人愛思開海力士有限公司，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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