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龍圖騰網(wǎng)恭喜朗姆研究公司申請(qǐng)的專利先進(jìn)封裝應(yīng)用的差別對(duì)比鍍覆獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114514340B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202080067446.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C25D7/12；該發(fā)明授權(quán)先進(jìn)封裝應(yīng)用的差別對(duì)比鍍覆是由斯蒂芬·J·巴尼克二世;雅各布·柯蒂斯·布里肯斯德費(fèi)爾;凱拉什·文卡特拉曼;賈斯廷·奧伯斯特;蔡利鵬;布萊恩·L·巴卡柳;史蒂芬·T·邁耶設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-07-22向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本先進(jìn)封裝應(yīng)用的差別對(duì)比鍍覆在說(shuō)明書摘要公布了：提供將金屬電鍍至襯底上部分制成的電子裝置的特征具有實(shí)質(zhì)上不同深度中的方法。該方法包括將加速劑吸附至凹陷特征的底部中；在電鍍?nèi)芤褐型ㄟ^(guò)自下向上填充機(jī)制部分地填充特征；使整平劑擴(kuò)散至淺特征中，以相比于深特征而降低淺特征中的鍍覆速率；以及將更多金屬電鍍至特征中，以使深特征中的金屬高度近似于淺特征中的金屬高度。

本發(fā)明授權(quán)先進(jìn)封裝應(yīng)用的差別對(duì)比鍍覆在權(quán)利要求書中公布了：1.一種電鍍金屬至襯底的特征中的方法，所述襯底包括部分制成的電子裝置，其具有在金屬晶種層上的光致抗蝕劑層中的特征，所述方法包括：a將襯底的表面暴露于包含加速劑化合物的預(yù)加速溶液；b將所述襯底的至少所述表面浸入包含所述金屬的離子、抑制劑和整平劑的電鍍?nèi)芤?，所述整平劑的類型是相?duì)于所述襯底表面的較凹陷區(qū)域，降低所述襯底表面的較暴露區(qū)域的鍍覆速率；c在所述襯底的所述表面浸入所述電鍍?nèi)芤褐袝r(shí)，將所述金屬電鍍至所述特征中，以部分地填充所述特征；以及d將所述襯底從所述電鍍?nèi)芤阂谱撸渲挟?dāng)由上往下觀看所述襯底時(shí)，所述光致抗蝕劑層中的所述特征具有不同深度、不同負(fù)載、不同形狀和或不同關(guān)鍵尺寸、及其組合。

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