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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利用于形成堆疊層的方法及其形成的器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112750769B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-03-21發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011169467.0，技術領域涉及：H10D84/03；該發明授權用于形成堆疊層的方法及其形成的器件是由林士堯;高魁佑;陳振平;林志翰設計研發完成，并于2020-10-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本用于形成堆疊層的方法及其形成的器件在說明書摘要公布了：本公開涉及用于形成堆疊層的方法及其形成的器件。一種方法包括：蝕刻半導體襯底以形成溝槽，其中，所述半導體襯底包括朝向所述溝槽的側壁；以及沉積延伸至所述溝槽中的第一半導體層。所述第一半導體層包括位于所述溝槽的底部處的第一底部部分和位于所述半導體襯底的所述側壁上的第一側壁部分。去除所述第一側壁部分以顯露所述半導體襯底的所述側壁。所述方法還包括：沉積延伸至所述溝槽中的第二半導體層，其中，所述第二半導體層包括位于所述第一底部部分之上的第二底部部分和與所述半導體襯底的所述側壁接觸的第二側壁部分。去除所述第二側壁部分以顯露所述半導體襯底的所述側壁。

本發明授權用于形成堆疊層的方法及其形成的器件在權利要求書中公布了：1.一種用于形成半導體器件的方法，包括：蝕刻半導體襯底以形成溝槽，其中，所述半導體襯底包括朝向所述溝槽的側壁；沉積延伸至所述溝槽中的第一半導體層，其中，所述第一半導體層包括位于所述溝槽的底部處的第一底部部分和位于所述半導體襯底的所述側壁上的第一側壁部分；去除所述第一側壁部分以顯露所述半導體襯底的所述側壁；沉積延伸至所述溝槽中的第二半導體層，其中，所述第二半導體層包括位于所述第一底部部分之上的第二底部部分和與所述半導體襯底的所述側壁接觸的第二側壁部分；去除所述第二側壁部分以顯露所述半導體襯底的所述側壁；對所述第一半導體層和所述第二半導體層進行圖案化以形成經圖案化的層堆疊；去除所述第一半導體層；以及形成柵極電介質，所述柵極電介質包括與所述第二半導體層的頂表面和底表面兩者接觸的部分。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。