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龍圖騰網恭喜季華實驗室申請的專利一種2H相半導體二硫化鉑單晶及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119663433B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-18發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510193748.6，技術領域涉及：C30B25/00；該發明授權一種2H相半導體二硫化鉑單晶及其制備方法是由劉冰;劉超暉;馬靜設計研發完成，并于2025-02-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種2H相半導體二硫化鉑單晶及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明屬于二維薄膜材料生長技術領域，公開了一種2H相半導體二硫化鉑單晶及其制備方法。該方法包括步驟：向Pt基化合物滴加金屬鹵化物水溶液，混合后加熱烘干得到Pt源混合物；將預處理后的生長基底倒扣于Pt源混合物上方，置于石英管內部的高溫區；將硫磺粉末置于上游石英管內部的低溫區，在混合氣氛中，硫磺粉末受熱揮發出的S蒸氣向管式爐高溫區進行擴散，與高溫區中Pt源混合物揮發產生的Pt蒸氣發生化學反應，在生長基底下表面沉積生成2H相PtS2單晶；或將ZnS粉末同樣置于高溫區，在惰性氣體氣氛中，ZnS粉末分解出的S蒸氣與Pt源混合物揮發產生的Pt蒸氣發生化學反應，在生長基底下表面沉積生成2H相PtS2單晶。

本發明授權一種2H相半導體二硫化鉑單晶及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種2H相半導體二硫化鉑單晶的制備方法，其特征在于：包括以下操作步驟：（1）向Pt基化合物滴加金屬鹵化物水溶液，控制Pt基化合物和金屬鹵化物的質量比為0.5~2:1，充分混合之后加熱烘干，得到Pt源混合物；所述Pt基化合物為二氯化鉑、四氯化鉑、氯鉑酸、氯鉑酸鉀或氯鉑酸鈉水合物；所述金屬鹵化物所含金屬元素為Na或K，所含鹵素為F、Cl、Br或I；（2）將預處理后的干凈生長基底倒扣于Pt源混合物上方，生長基底和Pt源混合物的垂直距離控制在0.2~1.0cm，兩者置于管式爐加熱區，即石英管內部的高溫區；（3）設置高溫區的加熱溫度為850~950℃；然后將硫磺粉末置于上游石英管內部，即低溫區，獨立控溫加熱，加熱溫度為160~220℃；在惰性氣體與氫氣的混合氣氛中，控制氣體流速為80~120s.c.c.m，低溫區中硫磺粉末受熱揮發出的S蒸氣向高溫區進行擴散，在850~950℃的生長溫度和200~780Torr的生長壓力下，到達高溫區的S蒸氣與高溫區中Pt源混合物受熱揮發出來的Pt蒸氣發生化學反應，并在生長基底下表面沉積生成2H相PtS2單晶；或者設置高溫區的加熱溫度為700~900℃；然后將ZnS粉末同樣置于高溫區，靠近Pt源混合物；在惰性氣體氣氛中，控制氣體流速為20~200s.c.c.m，在700~900℃的生長溫度和0.5~1.5Torr的生長壓力下，高溫區中ZnS粉末受熱分解出的S蒸氣與高溫區中Pt源混合物受熱揮發出來的Pt蒸氣發生化學反應，并在生長基底下表面沉積生成2H相PtS2單晶。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人季華實驗室，其通訊地址為：528200 廣東省佛山市南海區桂城街道環島南路28號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。