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龍圖騰網(wǎng)恭喜上海維安電子股份有限公司申請(qǐng)的專利一種高輸出電流產(chǎn)品的中測(cè)電路獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN109739294B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：201910172925.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G05F3/26；該發(fā)明授權(quán)一種高輸出電流產(chǎn)品的中測(cè)電路是由宋苗;姚和平;支知淵;閆苗苗設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-03-07向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種高輸出電流產(chǎn)品的中測(cè)電路在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種高輸出電流產(chǎn)品的中測(cè)電路，其包含VEN與VIN比較模塊、電流比較模塊、電流采樣模塊。其中電流采樣模塊用于將輸出電流通過電流鏡像作用轉(zhuǎn)換成較小的電流值，通過電流比較模塊和基準(zhǔn)電流的比較，反饋回電流采樣模塊，輸出恒定的電流值，VEN與VIN比較模塊用于給出中測(cè)指示信號(hào)，使得輸出電流降低至原來的一定比例進(jìn)行中測(cè)。本方案可以在不影響實(shí)際輸出高電流的情況下將中測(cè)時(shí)的輸出電流降低，以適應(yīng)中測(cè)時(shí)探針可承受的持續(xù)工作電流范圍進(jìn)行測(cè)試，相比于傳統(tǒng)保護(hù)方案具有更優(yōu)越的性能。

本發(fā)明授權(quán)一種高輸出電流產(chǎn)品的中測(cè)電路在權(quán)利要求書中公布了：1.一種高輸出電流產(chǎn)品的中測(cè)電路,其特征在于,包括VEN與VIN比較模塊、電流比較模塊、電流采樣模塊；其中VEN與VIN比較模塊用于給出中測(cè)指示信號(hào)，控制電流比較模塊用于比較的采樣電流使用實(shí)際輸出電流還是較小的輸出電流；電流比較模塊用于將電流采樣模塊產(chǎn)生的采樣電流與基準(zhǔn)電流進(jìn)行比較，輸出反饋給功率管，控制輸出電流處于恒定狀態(tài)；電流采樣模塊用于將輸出電流通過電流鏡像作用轉(zhuǎn)換成較小的電流值，用于和基準(zhǔn)電流的比較；其中，VEN與VIN比較模塊，由第一PMOS管PM1、第一NMOS管NM1、第一緩沖器BUF1組成；第一PMOS管PM1的柵連接第一NMOS管NM1的柵，并同時(shí)接到電源IN上，第一PMOS管PM1的源連接使能輸入EN，第一NMOS管NM1的源接地，第一PMOS管PM1的漏連接第一NMOS管NM1的漏，并同時(shí)連接第一緩沖器BUF1的輸入端，第一緩沖器BUF1的輸出端Y1連接電流比較模塊中第三NMOS管NM3的柵，第一緩沖器BUF1的輸出端Y1用來控制電流比較模塊用于比較的采樣電流使用實(shí)際限流值大小和中測(cè)限流值大小；電流比較模塊，由第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第二NMOS管NM2、第三NMOS管NM3、第四NMOS管NM4、第五NMOS管NM5組成；第二PMOS管PM2柵連接外部基準(zhǔn)模塊的輸出基準(zhǔn)電壓，此時(shí)IdPM2為基準(zhǔn)電流，第二PMOS管PM2的源接電源，漏接第二NMOS管NM2的漏；第三PMOS管PM3的源接電源；第二NMOS管NM2的源接地，柵與第四NMOS管NM4的柵，第五NMOS管NM5的柵和漏相連，并連接電流采樣模塊提供的采樣電流，鏡像至第四NMOS管NM4和第五NMOS管NM5，此處采樣電流與IdPM2為基準(zhǔn)電流比較，比較后結(jié)果輸出連接到第三PMOS管PM3的柵，用來控制VdPM3的大小并輸出Y2反饋至電流采樣模塊；第三NMOS管NM3的柵連接VEN與VIN比較模塊第一緩沖器BUF1的輸出端，接收VEN與VIN比較模塊給出的指示，漏與第二PMOS管PM2的漏、第二NMOS管NM2的漏、第三PMOS管PM3的漏相連，選擇與基準(zhǔn)電流IdPM2比較的采樣電流為IdNM2還是IdNM2與IdNM4的和，通過調(diào)整第四NMOS管NM4寬長(zhǎng)比與第二NMOS管NM2寬長(zhǎng)比的比例，就可以調(diào)整輸出電流的值，第四NMOS管NM4寬長(zhǎng)比與第二NMOS管NM2寬長(zhǎng)比的比例為3；第三NMOS管NM3的源連接第四NMOS管NM4的漏，第四NMOS管NM4的源和第五NMOS管NM5的源接地。

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