恭喜朗姆研究公司克倫·J·卡納里克獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網恭喜朗姆研究公司申請的專利在電介質中的高深寬比特征的等離子體蝕刻化學過程獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111886678B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980019733.0，技術領域涉及：H01L21/3065；該發明授權在電介質中的高深寬比特征的等離子體蝕刻化學過程是由克倫·J·卡納里克;薩曼莎·西亞姆-華·坦;潘陽;杰弗里·馬克斯設計研發完成，并于2019-03-12向國家知識產權局提交的專利申請。
本在電介質中的高深寬比特征的等離子體蝕刻化學過程在說明書摘要公布了：提供了一種用于在蝕刻室中在圖案化掩模下方蝕刻堆疊件中的特征的方法。用冷卻劑溫度低于?20℃的冷卻劑冷卻堆疊件。使蝕刻氣體流入蝕刻室。由蝕刻氣體產生等離子體。相對于圖案化的掩模將特征選擇性地蝕刻到堆疊件中。
本發明授權在電介質中的高深寬比特征的等離子體蝕刻化學過程在權利要求書中公布了：1.一種用于在蝕刻室中在圖案化掩模下方蝕刻堆疊件中的特征的方法，其包括：a用冷卻劑冷卻所述堆疊件，其中冷卻劑溫度低于-20℃；b使蝕刻氣體流入所述蝕刻室，其中，所述蝕刻氣體包含蝕刻劑成分，其中，所述蝕刻劑成分包括NF3、XeF2、WF6、SiF4、TaF5、IF7、HF、ClF5、BrF5、AsF5、NF5、PF5、NbF5、BiF5、UF5、SiCl2、CrO2Cl2、SiCl4、TaCl4、HfCl4、TiCl3l、TiCl4l、CoCl2l、TiCl3和TiCl2中的至少一種，并且其中，所述蝕刻氣體包含鈍化成分，其中，所述鈍化成分包括CF4、CHF3、CH3F、CCl4、CF3I、CBr2F2、C2HF5、C2F5Br、H2、O2、H2O、H2O2、BCl3、NH3、COS、CO、SF6和SiF4中的至少一種；c從所述蝕刻氣體產生等離子體；以及d相對于所述圖案化掩模選擇性地蝕刻所述堆疊件中的特征。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人朗姆研究公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號