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龍圖騰網恭喜長鑫存儲技術有限公司申請的專利靜電保護電路獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112448378B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910827647.4，技術領域涉及：H02H9/04；該發明授權靜電保護電路是由許杞安設計研發完成，并于2019-09-03向國家知識產權局提交的專利申請。

本靜電保護電路在說明書摘要公布了：一種靜電保護電路，包括：電源端、輸入焊盤端和接地端、第三PMOS晶體管、第三NMOS晶體管、內部電路、靜電防護結構；內部電路具有第一輸入端、第二輸入端、第三輸入端，第一輸入端連接所述第三PMOS晶體管的漏極，所述第二輸入端連接所述輸入焊盤端，第三輸入端連接所述第三NMOS晶體管漏極；第三PMOS晶體管的源極連接所述電源端，第三PMOS晶體管的柵極連接第一控制信號端；所述第三NMOS晶體管的源極連接所述接地端，所述第三NMOS晶體管的柵極連接第二控制信號端；所述靜電防護結構位于所述內部電路的第二輸入端和電源端之間以及第二輸入端與接地端之間。本申請的靜電保護電路具有很好的靜電保護功能。

本發明授權靜電保護電路在權利要求書中公布了：1.一種靜電保護電路，其特征在于，包括：電源端、輸入焊盤端和接地端、第三PMOS晶體管、第三NMOS晶體管、內部電路、靜電防護結構；所述內部電路具有第一輸入端、第二輸入端、第三輸入端，所述第一輸入端連接所述第三PMOS晶體管的漏極，所述第二輸入端連接所述輸入焊盤端，所述第三輸入端連接所述第三NMOS晶體管漏極；所述第三PMOS晶體管的源極連接所述電源端，所述第三PMOS晶體管的柵極連接第一控制信號端；所述第三NMOS晶體管的源極連接所述接地端，所述第三NMOS晶體管的柵極連接第二控制信號端；所述靜電防護結構位于所述內部電路的第二輸入端和所述電源端之間以及所述內部電路的第二輸入端與所述接地端之間；所述靜電保護電路還包括控制電路，所述控制電路包括第一控制信號端和第二控制信號端，所述控制電路包括RC電路和與RC電路連接的反相器電路，所述RC電路包括串聯的電容和第一電阻，所述反相器電路包括串聯的第四PMOS晶體管和第四NMOS晶體管，所述第四PMOS晶體管的源極與電源端連接，所述第四PMOS晶體管的漏極和第四NMOS晶體管的漏極連接在一起作為所述第二控制信號端，所述第二控制信號端與所述第三NMOS晶體管的柵極連接，所述第四PMOS晶體管的柵極與第四NMOS晶體管的柵極連接在一起并與所述RC電路中電容和第一電阻之間的電連接點連接作為所述第一控制信號端，所述第一控制信號端與所述第三PMOS晶體管的柵極連接，所述第四NMOS晶體管的源極與所述接地端連接。

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