恭喜桂林電子科技大學孫堂友獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜桂林電子科技大學申請的專利一種平面型十字交叉陣列結構的阻變存儲器及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113659074B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110790769.8，技術領域涉及：H10N70/00；該發明授權一種平面型十字交叉陣列結構的阻變存儲器及制備方法是由孫堂友;寧濤華;劉云;石卉;李海鷗;傅濤;劉興鵬;王陽培華;肖功利;張法碧設計研發完成，并于2021-07-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種平面型十字交叉陣列結構的阻變存儲器及制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種平面型十字交叉陣列結構的阻變存儲器及制備方法，將所述底電極、所述第一電阻轉變層和第二電阻轉變層置于所述絕緣基底的所述凹槽中，解決了采用普通的十字交叉陣列的阻變器存在的邊緣效應問題。通過對所述底電極圖案化修飾，并憑借所述第一電阻轉變層和所述第二電阻轉變層，相比于單層阻變層，能有效改善器件的電學性能，開關閾值電壓明顯減小、電壓的數值分布顯著集中，并且數據保持能力以及電阻切換速度相對提升，提高了可靠性。
本發明授權一種平面型十字交叉陣列結構的阻變存儲器及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種平面型十字交叉陣列結構的阻變存儲器制備方法，其特征在于，包括如下步驟：在絕緣基底上旋涂光刻膠，得到第一樣片；對所述第一樣片采用光刻和刻蝕處理，所述第一樣片上形成多個凹槽；在每個所述凹槽中沉積底電極，得到第二樣片；通過多孔薄膜在第二樣片上沉積納米結構，使得每個底電極圖案化，得到第三樣片；使用膠帶去除所述第三樣片上的所述多孔薄膜版，得到第四樣片；在第四樣片上依次沉積第一電阻轉變層和第二電阻轉變層，得到第五樣片；去除所述第五樣片中的所述光刻膠，得到第六樣片；在所述第六樣片上沉積頂電極；通過多孔薄膜在第二樣片上沉積金屬的步驟包括：在所述第二樣片上放置多孔薄膜；采用傾斜沉積技術，將金屬通過磁控濺射傾斜沉積的方式在每個所述底電極表面沉積一層側壁輪廓為圓錐形的納米結構。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人桂林電子科技大學，其通訊地址為：541004 廣西壯族自治區桂林市七星區金雞路1號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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