恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司陳鴻霖獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利非易失性存儲器單元及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN109841627B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201810538674.5，技術領域涉及：H10B41/30；該發明授權非易失性存儲器單元及其形成方法是由陳鴻霖;江文智;陳柏銘;林炫政;王澤豪設計研發完成，并于2018-05-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本非易失性存儲器單元及其形成方法在說明書摘要公布了：本發明實施例公開一種非易失性存儲器單元。在一個實例中，所述非易失性存儲器單元包括：襯底；第一氧化物層，位于所述襯底之上；浮動柵極，位于所述第一氧化物層之上；第二氧化物層，位于所述浮動柵極之上；以及控制柵極，至少局部地位于所述第二氧化物層之上。所述第一氧化物層及所述第二氧化物層中的至少一者包含氟。
本發明授權非易失性存儲器單元及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種非易失性存儲器單元，其特征在于，包括：襯底；第一氧化物層，位于所述襯底之上；浮動柵極，位于所述第一氧化物層之上；第二氧化物層，位于所述浮動柵極之上；以及控制柵極，至少局部地位于所述第二氧化物層之上，其中所述第二氧化物層包含氟離子，所述氟離子是穿過所述控制柵極被摻雜到所述第二氧化物層中，其中所述控制柵極的第一部分橫向延伸超出所述第二氧化物層的側壁并延伸至所述襯底上，且所述氟離子被摻雜到所述控制柵極的所述第一部分與所述襯底之間的交疊區域中。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹科學工業園區新竹市力行六路八號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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