恭喜長鑫存儲技術有限公司請求不公布姓名獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜長鑫存儲技術有限公司申請的專利半導體互連結構及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110880489B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201811029481.3，技術領域涉及：H01L23/535；該發明授權半導體互連結構及其制備方法是由請求不公布姓名設計研發完成，并于2018-09-05向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體互連結構及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種半導體互連結構及其制備方法，包括如下步驟：1）提供一基底，基底上形成有介電層，于介電層內形成接觸孔；2）以低溫化學氣相沉積的方式至少于接觸孔的底部和側壁形成第一金屬層，第一金屬層包括成核層；3）以包含低電流密度電鍍的電鍍方式于第一金屬層上形成第二金屬層，第二金屬層包括種子層，第二金屬層的電阻率小于第一金屬層的電阻率。本發明通過先于接觸孔內低溫形成第一金屬層后再形成第二金屬層，可以避免在接觸孔內填充的金屬層內部形成孔洞，從而可以有效降低填充的整體金屬層的電阻值；第二金屬層的電阻率小于第一金屬層的電阻率，可以進一步降低填充的整體金屬層的電阻值。
本發明授權半導體互連結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體互連結構的制備方法，其特征在于，包括：1）提供一基底，所述基底上形成有介電層，于所述介電層內形成接觸孔；2）以低溫化學氣相沉積的方式至少于所述接觸孔的底部和側壁形成第一金屬層，所述第一金屬層包括成核層，所述第一金屬層的材料包括鎢；及3）以包含低電流密度電鍍的電鍍方式于所述第一金屬層上形成第二金屬層，所述第二金屬層包括種子層，所述第二金屬層的電阻率小于所述第一金屬層的電阻率，所述第二金屬層的材料包括銅；步驟1）與步驟2）之間還包括如下步驟：于所述接觸孔的底部、側壁及所述介電層上表面形成粘附阻擋層的步驟；步驟2）中，所述第一金屬層形成于所述粘附阻擋層的表面，所述第一金屬層將所述第二金屬層和所述粘附阻擋層完全隔開。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長鑫存儲技術有限公司，其通訊地址為：230000 安徽省合肥市經濟技術開發區翠微路6號海恒大廈630；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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