恭喜珠海基石科技有限公司請求不公布姓名獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜珠海基石科技有限公司申請的專利一種粉體及其制備方法、靶材及其制備方法、鉬硅化合物膜、掩膜版和半導體器件的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119461381B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510061620.4，技術領域涉及：C01B33/06；該發明授權一種粉體及其制備方法、靶材及其制備方法、鉬硅化合物膜、掩膜版和半導體器件的制備方法是由請求不公布姓名;請求不公布姓名設計研發完成，并于2025-01-15向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種粉體及其制備方法、靶材及其制備方法、鉬硅化合物膜、掩膜版和半導體器件的制備方法在說明書摘要公布了：本申請提供了一種粉體及其制備方法、靶材及其制備方法、鉬硅化合物膜、掩膜版和半導體器件的制備方法。其中，粉體的制備方法包括：按照鉬：硅的原子比為1：x取鉬粉和硅粉進行混合，得到鉬硅混合料；再置于真空燒結設備中進行1150℃?1410℃真空燒結，得到MoSix塊體；將MoSix塊體破碎，得到MoSix粉體。該制備方法能夠制得純度高、含氧量低、粒徑小的MoSix粉體，所得MoSix粉體可用于制備高純、低氧、微觀組織均勻的鉬硅靶材，進而能夠沉積出致密均勻的鉬硅化合物膜，提高相移掩膜版的產品良率，有利于形成高對比度、高分辨率的顯影圖案，提升半導體器件的性能。
本發明授權一種粉體及其制備方法、靶材及其制備方法、鉬硅化合物膜、掩膜版和半導體器件的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種MoSix粉體的制備方法，其特征在于，包括：按照鉬：硅的原子比為1：x取鉬粉和硅粉進行混合，得到鉬硅混合料；其中，x≥2；將所述鉬硅混合料置于真空燒結設備中進行真空燒結，得到MoSix塊體，所述真空燒結的燒結溫度為1150℃-1410℃；所述真空燒結過程中持續抽真空；將所述MoSix塊體破碎至顆粒D50粒徑為2μm-20μm，且[D90-D10D50]≤2.5，得到MoSix粉體。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人珠海基石科技有限公司，其通訊地址為：519050 廣東省珠海市金灣區南水鎮南水社區南港中路18號1棟602室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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