恭喜超威半導體公司凱達爾納特·巴拉里斯南獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜超威半導體公司申請的專利從動態隨機存取存儲器排的掉電模式的推測性退出獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113227938B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-01發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980081986.0，技術領域涉及：G06F1/3228；該發明授權從動態隨機存取存儲器排的掉電模式的推測性退出是由凱達爾納特·巴拉里斯南設計研發完成，并于2019-06-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本從動態隨機存取存儲器排的掉電模式的推測性退出在說明書摘要公布了：一種處理系統100，包括存儲器控制器110，所述存儲器控制器基于所述存儲器控制器將接收到對訪問動態隨機存取存儲器DRAM集成電路排115的請求102的預測時間來使所述DRAM排從諸如掉電模式的低功率模式搶先地退出。所述存儲器控制器跟蹤在DRAM排進入所述低功率模式之后多久才由所述存儲器控制器接收到對訪問所述DRAM排的請求。基于訪問請求的定時的歷史，所述存儲器控制器針對每個DRAM排預測反映在進入低功率模式之后多久預期將接收到對訪問每個DRAM排的請求的預測時間。所述存儲器控制器基于所述預測時間并且在接收到對訪問所述DRAMIC排的請求之前使所述DRAM排從所述低功率模式推測性地退出。
本發明授權從動態隨機存取存儲器排的掉電模式的推測性退出在權利要求書中公布了：1.一種用于退出低功率模式的方法，所述方法包括：在存儲器控制器110處預測406預期將在所述存儲器控制器處接收到對訪問處于低功率模式的動態隨機存取存儲器DRAM集成電路的第一排120的訪問請求102的時間，其中預測包括：基于在所述第一排進入所述低功率模式的第一時間與所述存儲器控制器接收到對訪問所述第一排的訪問請求的第二時間之間的時鐘周期數量的歷史來存儲所述第一排的低功率模式持續時間實例的計數，以及基于低功率模式持續時間實例的所述計數預測所述第一排的所述低功率模式的持續時間；以及在所述時間之前使所述第一排從所述低功率模式退出410。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人超威半導體公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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