恭喜東京應化工業株式會社木下哲郎獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜東京應化工業株式會社申請的專利保護膜形成劑及半導體芯片的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114830301B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-01發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080087446.6，技術領域涉及：H01L21/301；該發明授權保護膜形成劑及半導體芯片的制造方法是由木下哲郎設計研發完成，并于2020-11-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本保護膜形成劑及半導體芯片的制造方法在說明書摘要公布了：本發明提供在半導體晶圓的切割中為了在半導體晶圓的表面形成保護膜而使用的、能夠形成激光加工性優異的保護膜且吸光劑的溶解性優異的保護膜形成劑，及使用該保護膜形成劑的半導體芯片的制造方法。該保護膜形成劑包含水溶性樹脂A、吸光劑B、堿性化合物C及溶劑S。堿性化合物C優選為烷基胺、烷醇胺、咪唑化合物、氨或堿金屬的氫氧化物。保護膜形成劑中的吸光劑B的含量優選為0.1質量％以上10質量％以下。
本發明授權保護膜形成劑及半導體芯片的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種保護膜形成劑，其為在半導體晶圓的切割中為了在半導體晶圓的表面形成保護膜而使用的保護膜形成劑，其特征在于，包含水溶性樹脂A、吸光劑B、堿性化合物C以及溶劑S，所述水溶性樹脂A是羥丙基纖維素或聚乙烯吡咯烷酮，所述吸光劑B為以下述式B1-1表示的化合物或以下述式B2表示的化合物，[化1] 式B1-1中，R1及R3分別獨立地為羥基或羧基，R2及R4分別獨立地為羥基、羧基或以-NR5R6表示的基團，R5及R6分別獨立地為氫原子或碳原子數為1以上4以下的烷基，m及n分別獨立地為0以上2以下的整數，[化2] 式B2中，R11為以-NR12R13表示的基團，R12及R13分別獨立地為氫原子或碳原子數為1以上4以下的烷基，p為0以上3以下的整數，在p為2以上的情況下，多個R11可以相同也可以不同。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人東京應化工業株式會社，其通訊地址為：日本國神奈川縣；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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