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龍圖騰網恭喜中國科學院上海微系統與信息技術研究所申請的專利一種可抑制準粒子中毒的超導數字電路結構及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113937212B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-01發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111194146.0，技術領域涉及：H10N60/80；該發明授權一種可抑制準粒子中毒的超導數字電路結構及其制造方法是由林志榮;劉匡設計研發完成，并于2021-10-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種可抑制準粒子中毒的超導數字電路結構及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種可抑制準粒子中毒的超導數字電路結構及其制造方法，電路結構包括襯底、超導結構和正常金屬層；所述超導結構設置在所述襯底上，所述正常金屬電連接所述超導結構的底電極，所述正常金屬層用于抑制超導數字電路制造中產生的準粒子，所述準粒子為庫伯對被拆開后的電子。本發明的超導數字電路能夠有效的抑制超導數字電路中準粒子中毒。

本發明授權一種可抑制準粒子中毒的超導數字電路結構及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種可抑制準粒子中毒的超導數字電路結構的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括以下步驟：S1，提供襯底；S2，在所述襯底表面依次形成三層薄膜，并將三層薄膜刻蝕成約瑟夫森結，所述約瑟夫森結包括底電極、第一絕緣材料層和頂電極；第一絕緣材料層設置在所述底電極和所述頂電極之間；所述底電極設置在所述襯底上；S3，在所述約瑟夫森結的結構表面形成第二絕緣材料層，并在所述第二絕緣材料層開設第一連接孔、第三連接孔和接觸開孔；所述第一連接孔暴露出所述頂電極，所述第三連接孔暴露出所述底電極，所述接觸開孔暴露出所述底電極；S4，于所述第二絕緣材料層上形成電阻層，于所述接觸開孔的底部及所述接觸開孔邊緣的第二絕緣材料層上形成正常金屬層，所述正常金屬層設置在所述第二絕緣材料層上的部分為正常金屬層的邊緣部，所述正常金屬層通過所述接觸開孔設置在所述底電極上的部分為所述正常金屬層的中間部；S5，形成第三絕緣材料層，所述第三絕緣材料層沉積在所述第二絕緣材料層、所述電阻層和所述正常金屬層的邊緣上；并在所述第三絕緣材料層開設環孔和第二連接孔，均用于暴露出所述電阻層；S6，形成配線層，所述配線層包括第一部分和第二部分，所述配線層的第一部分和所述配線層的第二部分被所述第二連接孔暴露出的電阻層分開，所述配線層的第一部分通過第一連接孔電連接所述頂電極，所述配線層的第一部分和配線層的第二部分均通過環孔電連接所述電阻層，所述配線層的第二部分通過第三連接孔連接所述底電極。

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