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龍圖騰網(wǎng)恭喜三星電子株式會社申請的專利三維半導體器件獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN110838495B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-03-21發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：201910717479.3，技術領域涉及：H10B43/35；該發(fā)明授權三維半導體器件是由白石千設計研發(fā)完成，并于2019-08-05向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本三維半導體器件在說明書摘要公布了：一種三維半導體器件包括：堆疊結構，位于下部結構上；豎直溝道結構，穿過所述堆疊結構；以及第一豎直支撐結構，穿過所述堆疊結構并與所述豎直溝道結構間隔開。所述堆疊結構包括在垂直于所述下部結構的上表面的豎直方向上交替堆疊的層間絕緣層和柵極水平圖案。所述豎直溝道結構和所述第一豎直支撐結構具有不同的截面形狀。所述豎直溝道結構還包括溝道半導體層。所述豎直溝道結構包括第一豎直區(qū)域、第二豎直區(qū)域以及位于所述第一豎直區(qū)域與所述第二豎直區(qū)域之間的寬度變化部分。所述層間絕緣層包括與所述寬度變化部分相鄰的中間層間絕緣層。所述中間層間絕緣層與在所述豎直方向上與其相鄰的層間絕緣層具有相同的厚度。

本發(fā)明授權三維半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種三維半導體器件，所述三維半導體器件包括：硅襯底；堆疊結構，所述堆疊結構位于所述硅襯底上，并且包括在豎直方向上交替堆疊的層間絕緣層和柵極水平圖案，所述豎直方向垂直于所述硅襯底的上表面，其中，所述柵極水平圖案在第一區(qū)域中在所述豎直方向上堆疊在所述硅襯底上并且沿水平方向從所述第一區(qū)域延伸，所述水平方向平行于所述硅襯底的所述上表面，其中，所述柵極水平圖案包括在與所述第一區(qū)域相鄰的第二區(qū)域中以階梯形狀布置的焊盤區(qū)域，并且所述柵極水平圖案包括第一柵極水平圖案和位于所述第一柵極水平圖案上的第二柵極水平圖案；覆蓋絕緣層，所述覆蓋絕緣層位于所述堆疊結構上；豎直溝道結構，所述豎直溝道結構在所述第一區(qū)域中設置在穿過所述堆疊結構的第一孔內(nèi)；豎直支撐結構，所述豎直支撐結構在所述第二區(qū)域中設置在穿過所述覆蓋絕緣層和所述堆疊結構的第二孔內(nèi)并在所述水平方向上與所述豎直溝道結構間隔開；以及分隔結構，所述分隔結構在所述豎直方向上延伸以穿過所述堆疊結構和所述覆蓋絕緣層；緩沖水平圖案，所述緩沖水平圖案由絕緣材料形成并且設置在所述第一柵極水平圖案和所述第二柵極水平圖案之間；以及保護圖案，所述保護圖案設置在所述分隔結構和所述緩沖水平圖案之間，并且由與所述緩沖水平圖案的絕緣材料不同的絕緣材料形成，其中，所述柵極水平圖案設置在所述分隔結構之間，其中，所述豎直溝道結構包括豎直芯圖案、位于所述豎直芯圖案的側表面上的溝道層、位于所述溝道層的外表面上的數(shù)據(jù)存儲層和位于所述豎直芯圖案上的焊盤圖案，其中，所述豎直溝道結構的在所述豎直方向上的截面形狀不同于所述豎直支撐結構的在所述豎直方向上的截面形狀，其中，所述豎直溝道結構包括第一豎直區(qū)域、第二豎直區(qū)域以及位于所述第一豎直區(qū)域與所述第二豎直區(qū)域之間的寬度變化部分，其中，所述層間絕緣層包括與所述寬度變化部分相鄰的中間層間絕緣層，其中，所述中間層間絕緣層和所述層間絕緣層中的在所述豎直方向上與所述中間層間絕緣層相鄰的層間絕緣層具有基本相同的厚度，其中，所述豎直支撐結構包括單個絕緣材料層，其中，所述豎直支撐結構的寬度大于所述豎直溝道結構的寬度，其中，所述豎直支撐結構的下端和所述豎直溝道結構的下端位于比所述硅襯底的所述上表面低的高度處，并且其中，所述第二孔的側壁的上端位于比所述第一孔的側壁的上端高的高度處。

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